BSS64AHZGT116 产品概述

一、简介

BSS64AHZGT116 是 ROHM（罗姆）推出的一款高压小信号NPN晶体管，采用 TO-236-3（SOT-23-3）封装，面向需要高耐压、低饱和压和较高频率性能的通用放大与开关应用。器件在小封装下兼顾了100V的集射极击穿电压和140MHz 的特征频率，适合在空间受限且对耐压有要求的电路中使用。

二、主要特性

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流 Ic(max)：100 mA
• 集—射极击穿电压 Vceo：100 V
• 额定耗散功率 Pd：350 mW（SOT-23 小封装）
• 直流电流增益 hFE：30（在 Ic=25 mA, Vce≈1 V 条件下）
• 特征频率 fT：140 MHz（高频响应良好）
• 集电极截止电流 Icbo：50 μA
• 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)：≈300 mV（在 Ic=100 mA, Ib=10 mA 条件下）
• 发射极-基极反向击穿电压 Vebo：6 V
• 封装：TO-236-3（SOT-23-3）

三、典型应用场景

• 电源开关的低侧开关元件（高耐压场合、100 mA 级）
• 小信号高频放大与缓冲（fT=140 MHz 适合射频前端或高频驱动）
• 便携设备、显示驱动、继电器/小电机驱动（在功率和空间受限的电路中）
• 通用电路替换与设计优化：在需要兼顾耐压与开关速度的小型化电路中常被采用

四、电气性能与设计要点

• Vceo=100V 表明器件适用于较高电压环境，但在设计时应考虑器件的最大集电极电流与功耗限制，避免长期接近极限条件。
• Pd=350 mW 为封装在环境温度下的耗散能力，须按工作环境温度进行热结论与降额设计：若环境温度升高，允许的耗散功率应相应降低，必要时通过 PCB 增加铜箔面积或散热措施改善热阻。
• 饱和导通时 VCE(sat)≈300 mV（100 mA）说明在开关应用中导通损耗较小，但为保证可靠饱和，基极需提供足够基流。经验上为保证快速饱和常取 Ib ≈ Ic/10，但具体基流可根据实际开关速度与损耗权衡调整。
• Icbo=50 μA 提示在高温或高阻断电压情况下存在一定的漏电流，静态功耗或关断漏电需考虑此项影响。
• Vebo = 6V 需注意基极-发射极反向偏置不要超过该值，以免损坏结。

五、使用建议

• 引脚与封装：器件为 SOT-23-3 封装，具体引脚排列与管脚功能请务必参照 ROHM 官方数据手册，避免因引脚不同造成接线错误。
• 基极限流：驱动基极时加限流电阻以控制基流，避免瞬态过流，推荐在考虑 hFE 与饱和需求下计算基阻。
• 热管理：在高占空比或持续开关应用中，评估结温并适当降额；建议在 PCB 上增加散热铜箔并远离热源。
• 高频布局：若用于高频放大或缓冲，注意走线阻抗、寄生电容与布局，缩短关键走线，采取适当的旁路与滤波设计以保证稳定性。

六、可靠性与注意事项

• 过压、反向基极电压、过热都是常见致损因素，设计时加入保护元件（如限流、钳位电路或RC缓冲）可提高可靠性。
• 在批量替换或替代元件时，除电气参数外请核对封装与引脚定义，确保机械与电气兼容。

如需更详细的电气特性曲线、最大额定值随温度变化的降额曲线或详细引脚定义，请参考 ROHM 官方数据手册或联系 ROHM 技术支持获取完整资料。