BSS5130AT116 产品概述

一、概述

BSS5130AT116（ROHM）是一款小外形的 PNP 晶体管，采用 TO-236-3（SOT-23-3）封装，面向小信号放大与低功耗开关场合。需注意：提供的“TRANS 100V 100A”描述与下列基础电气参数不一致，本文以下列基础参数为准进行说明。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：PNP
• 集电极电流 Ic（最大）：1 A（短时或脉冲条件下需参考数据手册）
• 集—射击穿电压 Vceo：30 V（器件绝对耐压，应预留余量）
• 耗散功率 Pd：200 mW（SOT-23-3 封装，散热能力有限）
• 直流电流增益 hFE：≈270（在 Ic=100 mA、VCE=2 V 条件下的典型值）
• 特征频率 fT：320 MHz（高于一般低频器件，适合高速小信号放大）
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA（低漏电流，有利于高阻态稳定）
• 集—射极饱和电压 VCE(sat)：约 380 mV（典型值，测量点 25 mA；高电流条件下需参考规格曲线）

三、性能亮点

1. 高增益：在 100 mA 工作点有较高的 hFE（≈270），适合做驱动或放大级以减小基极驱动电流。
2. 高频响应好：fT 达 320 MHz，可用于高频小信号放大与前级放大器。
3. 低漏电：Icbo 约 100 nA，有利于低功耗待机和精密电路稳定性。
4. 小封装：SOT-23-3 适合体积受限的便携式与消费电子设备。

四、典型应用场景

• 小信号放大器与电平转换器
• 逻辑或模拟电路中的高增益放大/驱动级
• 便携设备、传感器前端以及功率较小的开关场合
• 高频前置放大或缓冲级（需留意功率与线性范围）

五、封装与热管理建议

SOT-23-3 封装的最大耗散仅 200 mW（实测受 PCB 走线与环境影响较大）。实际设计中应：

• 在 PCB 布局上增大集电极/散热铜箔面积并使用热孔（若板工艺允许）；
• 对长期或高占空比工作进行功率与热仿真，必要时采用降额设计或更大封装器件；
• 注意 Vceo（30 V）限制，避免在高压或脉冲场合超过器件耐压。

六、选型与电路设计注意事项

• 在要求连续 100 mA 以上电流时，检查器件在该电流下的 Pd 与 VCE(sat) 变化，必要时选择更高功耗封装。
• 设计基极限流与偏置时，结合 hFE 曲线与温度系数，保证在最差条件下仍能工作可靠。
• 高频应用应注意寄生电容与布局寄生，尽量缩短高频回路的走线。
• 对关键参数（如 VCE(sat)、Icbo）在目标温度下进行验证。

七、总结

BSS5130AT116 是一款面向小信号高增益与高速响应的 PNP 晶体管，适合体积受限的便携或消费电子产品中做放大、驱动和高频前端。其低漏电与高 hFE 是显著优势，但 SOT-23-3 的散热限制与 30 V 的耐压上限要求在电路设计时必须给予充分考虑。欲获得完整参数曲线与典型应用电路，请参考 ROHM 官方数据手册以确保在目标应用中的安全余量与可靠性。