型号:

BAS70

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:-
包装:未知
重量:0.033g
其他:
-
BAS70 产品实物图片
BAS70 一小时发货
描述:肖特基二极管 1V@15mA 70V 100nA@50V 70mA SOT-23
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3000+
0.0477
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)1V@15mA
直流反向耐压(Vr)70V
整流电流70mA
反向电流(Ir)100nA@50V
工作结温范围-40℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)100mA

BAS70肖特基二极管产品概述

BAS70是伯恩半导体(BORN)推出的单通道小信号肖特基二极管,针对低功耗、小体积的电子电路设计,凭借低正向压降、高反向耐压与紧凑封装,广泛适配便携设备、工业控制等场景。以下从核心特性、电气参数、应用场景等维度展开概述。

一、产品核心定位与关键特性

BAS70属于小信号肖特基二极管范畴,区别于大功率整流肖特基,聚焦“低电流、小封装、低功耗”的设计需求,核心特性包括:

  1. 低正向压降:1V@15mA的典型值,导通损耗低,适配电池供电设备;
  2. 高反向耐压:直流反向耐压70V,满足多数低压电路的反向阻断需求;
  3. 紧凑封装:采用SOT-23贴片封装,尺寸仅约2.9×1.6×1.1mm,适配高密度PCB;
  4. 宽温适应性:-40℃~+125℃工作结温,覆盖工业级与消费级环境;
  5. 低反向漏电流:100nA@50V的反向电流,静态功耗极低。

二、电气参数详细解析

BAS70的参数针对小信号电路优化,关键参数需重点关注:

1. 正向特性

  • 正向压降(Vf):典型值1V@15mA,导通时电压损耗低,可延长便携设备续航;
  • 整流电流(If):平均电流70mA,满足小信号电路的连续工作(如偏置、续流);
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):100mA(单次),可承受电源启动等瞬态过流,提升可靠性。

2. 反向特性

  • 直流反向耐压(Vr):70V,可阻断反向电压至70V,避免电路击穿;
  • 反向电流(Ir):100nA@50V,即使在50V反向偏置下,漏电流仍处于纳安级,静态功耗可忽略。

3. 温度特性

  • 工作结温范围:-40℃~+125℃,符合工业级器件要求,适配严寒(户外传感器)或高温(车载电子)场景;
  • 存储温度范围:常规肖特基器件支持-55℃~+150℃(需参考具体 datasheet)。

三、封装与典型应用场景

BAS70采用SOT-23贴片封装,引脚定义为:1脚阳极、2脚阴极、3脚空脚(需参考厂商 datasheet),适配自动贴装,生产效率高。

典型应用场景包括:

  1. 便携电子:智能手表、蓝牙耳机、移动电源的电源续流、信号钳位,小封装节省空间;
  2. 工业控制:PLC小信号输入输出、传感器信号处理,宽温适应现场波动;
  3. 射频前端:蓝牙/WiFi模块的信号整流、检波,肖特基高频特性适配射频信号;
  4. 电源保护:低压电源反向保护、过压钳位,70V反向耐压覆盖常见低压场景。

四、可靠性与选型参考

1. 可靠性表现

  • 反向漏电流稳定:100nA@50V在结温范围内变化小,长期工作无功耗上升风险;
  • 浪涌耐受:100mA非重复浪涌可应对电路瞬态脉冲,减少器件损坏;
  • 封装可靠:塑封工艺抗机械应力与腐蚀,适合批量生产与长期使用。

2. 选型参考

  • 电流限制:仅适配平均电流≤70mA场景,大电流需选大功率肖特基(如1N5819);
  • 电压限制:反向耐压70V,高压场景需选高压肖特基或硅二极管;
  • 封装适配:小功率选SOT-23,大功率需选DO-41、SMA等散热封装。

五、品牌与品质保障

BAS70由伯恩半导体生产,该厂商专注功率半导体与小信号器件,产品通过ISO9001认证,符合RoHS环保标准,提供完整 datasheet 与技术支持,适合批量采购。

总结:BAS70凭借低Vf、高反向耐压、小封装与宽温特性,成为小信号电路的优选器件,覆盖便携电子、工业控制等多领域,是低功耗设计的实用选择。