型号:

FGA40N65SMD

品牌:ON(安森美)
封装:TO-3PN
批次:-
包装:管装
重量:7g
其他:
-
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FGA40N65SMD 一小时发货
描述:IGBT管/模块 650V 349W FS(场截止) 80A TO-3PN
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1+
10.02
产品参数
属性参数值
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)80A
耗散功率(Pd)349W
输出电容(Coes)180pF
正向脉冲电流(Ifm)120A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.5V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))3.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)119nC
输入电容(Cies)1.88nF
开启延迟时间(Td(on))12ns
关断延迟时间(Td(off))92ns
导通损耗(Eon)820uJ
关断损耗(Eoff)260uJ
反向恢复时间(Trr)42ns
反向传输电容(Cres)50pF

FGA40N65SMD 产品概述

产品简介
FGA40N65SMD 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件,采用场截止(Field Stop)技术,具有高电压、大电流和低导通损耗的特点。该器件适用于高频开关应用,如电机驱动、逆变器、电源转换和工业控制系统等。其封装形式为 TO-3PN,具有良好的散热性能和机械强度,适合高功率应用场景。


关键特性

  1. 高电压能力

    • 集射极击穿电压(VCES)最大值为 650V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用场景。
  2. 大电流能力

    • 集电极电流(IC)最大值为 80A,脉冲电流(ICM)可达 120A,适合驱动大功率负载。
  3. 低导通损耗

    • 在 VGE = 15V、IC = 40A 条件下,集射极导通电压(VCE(on))最大值为 2.5V,有效降低了导通损耗,提高了系统效率。
  4. 快速开关性能

    • 开关能量(Eon 和 Eoff)分别为 820µJ 和 260µJ,开关速度快,适用于高频开关应用。
    • 开启延迟时间(Td(on))为 12ns,关断延迟时间(Td(off))为 92ns,反向恢复时间(trr)为 42ns,进一步优化了开关性能。
  5. 高功率处理能力

    • 最大功率耗散(PD)为 349W,能够处理高功率负载,适合高功率密度设计。
  6. 宽工作温度范围

    • 工作温度范围为 -55°C 至 175°C(结温),适用于恶劣环境下的应用。
  7. 场截止技术

    • 采用场截止(Field Stop)技术,降低了导通损耗和开关损耗,同时提高了器件的可靠性和效率。
  8. 封装形式

    • 采用 TO-3PN 封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合高功率应用。

应用领域
FGA40N65SMD 适用于以下应用场景:

  1. 电机驱动
    • 用于工业电机驱动、家用电器电机控制等,提供高效、可靠的开关性能。
  2. 逆变器
    • 适用于太阳能逆变器、UPS 逆变器等,实现高效的电能转换。
  3. 电源转换
    • 用于开关电源、DC-DC 转换器等,提供高功率密度和低损耗的解决方案。
  4. 工业控制系统
    • 适用于工业自动化设备、机器人控制系统等,提供稳定的功率输出。
  5. 电动汽车
    • 用于电动汽车的电机驱动和充电系统,满足高电压、大电流的需求。

性能优势

  1. 高效率
    • 低导通损耗和快速开关性能显著提高了系统效率,降低了能量损耗。
  2. 高可靠性
    • 宽工作温度范围和场截止技术确保了器件在恶劣环境下的稳定运行。
  3. 易于设计
    • TO-3PN 封装形式简化了散热设计,降低了系统设计的复杂性。
  4. 成本效益
    • 高性能和长寿命降低了系统的总体拥有成本(TCO)。

测试条件

  • 测试电压:400V
  • 测试电流:40A
  • 测试电阻:6Ω
  • 栅极电压:15V

封装信息

  • 封装类型:TO-3PN
  • 封装尺寸:符合 TO-3P-3(SC-65-3)标准
  • 引脚配置:3 引脚设计,便于安装和连接

总结
FGA40N65SMD 是一款高性能 IGBT 器件,具有高电压、大电流、低导通损耗和快速开关性能等优点,适用于电机驱动、逆变器、电源转换和工业控制系统等多种应用场景。其 TO-3PN 封装形式提供了良好的散热性能和机械强度,适合高功率密度设计。安森美(ON Semiconductor)的场截止技术进一步提高了器件的效率和可靠性,使其成为高功率应用的理想选择。