型号:

UMD22N

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-363
批次:-
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
UMD22N 产品实物图片
UMD22N 一小时发货
描述:双数字晶体管 UMD22N D22 SOT-363
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.171
3000+
0.15
产品参数
属性参数值
数量1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)150mW
晶体管类型NPN+PNP
直流电流增益(hFE)80
最小输入电压(VI(on))1.3V
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV
输入电阻4.7kΩ
电阻比率10
工作温度-55℃~+150℃
特征频率(fT)250MHz

UMD22N 双数字晶体管产品概述

一、产品基本属性

UMD22N是江苏长电/长晶(CJ品牌) 推出的一款双数字晶体管,属于小功率半导体器件范畴。该产品核心特点是宽温工作范围(-55℃~+150℃),可适应低温户外环境、高温发热模块周边等极端工况;封装信息暂未明确标注,选型时需注意与目标电路的封装兼容性(若适配SOT-363则适合高密度设计)。

二、核心电气参数

UMD22N的关键参数清晰明确,可直接支撑电路设计:

  1. 耐压与功率:集射极击穿电压(Vceo)为50V,满足低压电路耐压需求;最大耗散功率(Pd)150mW,属于典型小功率器件,适合低功耗场景。
  2. 电流能力:集电极最大允许电流(Ic)100mA,可驱动小型LED、低功耗传感器等轻负载。
  3. 增益特性:直流电流增益(hFE)典型值80,测试条件明确为「集电极电流10mA、集射极电压5V」,设计时可精准计算放大倍数。
  4. 开关特性:最小输入导通电压(VI(on))1.3V,适配3.3V/5V常见逻辑电平;输出导通电压(VO(on))仅300mV,导通损耗低,提升电路效率。
  5. 内部电阻:输入电阻4.7kΩ、电阻比率10,双数字晶体管的内部电阻配置可简化外围电路,减少外部元件数量。

三、应用场景参考

UMD22N的参数特性使其适用于以下典型场景:

  1. 便携式电子设备:智能手环、蓝牙耳机、小型智能穿戴等低功耗产品,小封装(若适配)可满足高密度设计,宽温特性适应不同使用环境。
  2. 小信号放大电路:音频前置放大、传感器信号放大(如温湿度传感器),hFE稳定可实现精准信号放大。
  3. 简单逻辑开关:小型LED驱动(如指示灯)、按键状态检测、低功耗继电器控制,导通电压低、电流能力适配轻负载。
  4. 工业控制周边:工业传感器节点、小型控制模块,宽温范围(-55℃~+150℃)可满足极端环境下的可靠性要求。

四、关键特性总结

  1. 宽温可靠性:覆盖-55℃至+150℃,无需额外温控措施即可适应极端工况。
  2. 低功耗适配:最大耗散150mW、集电极电流100mA,符合当前低功耗设计趋势,延长电池设备续航。
  3. 参数清晰易选型:增益、开关电压等关键参数均有明确测试条件,减少设计试错成本。
  4. 简化外围电路:内部集成电阻(输入电阻4.7kΩ、比率10),减少外部电阻元件,降低设计复杂度与成本。
  5. 低导通损耗:输出导通电压仅300mV,减少功率损耗,提升电路效率。

五、选型注意事项

  1. 功率与电流限制:实际工作时需确保集电极电流≤100mA、耗散功率≤150mW,避免器件过热损坏。
  2. 耐压要求:集射极电压需控制在50V以内,防止击穿失效。
  3. 封装兼容性:因封装信息暂未明确,需确认目标电路的封装接口(如SOT-363等小封装)是否匹配。
  4. 逻辑电平适配:输入导通电压1.3V,需确认驱动电路输出电平(如3.3V/5V)是否兼容,避免无法导通。

UMD22N作为长电推出的小功率双数字晶体管,凭借宽温、低功耗、参数清晰等特点,可满足多数低功耗电子设备的放大与开关需求,是便携式、工业周边等场景的经济型选型。