
SMBJ45A是伯恩半导体(BORN)推出的单向瞬态抑制二极管(TVS),属于静电(ESD)与浪涌过压防护的核心元器件。TVS区别于压敏电阻等防护元件,具备响应速度快(纳秒级)、钳位电压精准、重复冲击可靠性高的特点,而SMBJ45A聚焦中低压电路的防护需求,适配多场景下的过压风险应对。
SMBJ45A的电气参数明确了其防护能力边界,核心参数可分为四大维度:
截止与击穿特性
反向截止电压(Vrwm)为45V,即正常工作时反向电压不超过45V,器件处于截止状态,不影响电路运行;当反向电压突破击穿电压(50V) 时,器件快速击穿导通,将过压能量泄放至地,保护后端敏感元件。
脉冲防护能力
峰值脉冲功率(Ppp)达600W,测试波形为国际通用的10/1000μs(上升时间10μs、半峰值时间1000μs),对应实际场景中常见的浪涌(如电源波动、雷击感应);峰值脉冲电流(Ipp)为8.3A,结合钳位电压(72.7V),可将浪涌电压稳定抑制在安全范围内,避免后端电路损坏。
反向漏电流
反向截止电压下漏电流仅1μA,远低于常规保护器件水平,避免正常工作时的功耗损耗与电路干扰,提升系统稳定性。
SMBJ45A采用SMB(DO-214AA)表面贴装封装,具备以下优势:
基于45V截止电压与600W脉冲功率的特性,SMBJ45A适用于中低压电路的过压防护,核心场景包括:
伯恩半导体(BORN)作为国内专业半导体厂商,SMBJ45A通过IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-5(浪涌) 等国际标准测试,确保实际场景防护可靠性。器件采用稳定芯片工艺,多次脉冲冲击后击穿电压、钳位电压无明显漂移,漏电流保持低水平,满足长期使用需求。
SMBJ45A凭借紧凑封装、精准防护与高可靠性,成为中低压电路过压保护的主流选择之一。