型号:

SM8S33A

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:DO-218AB
批次:-
包装:编带
重量:3.566g
其他:
-
SM8S33A 产品实物图片
SM8S33A 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SM8S33A DO218AB
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商品单价
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5.41
750+
5.23
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)33V
钳位电压53.3V
峰值脉冲电流(Ipp)124A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)6.6kW@10/1000us
击穿电压(VBR)40.6V
反向电流(Ir)5uA
类型TVS

BORN SM8S33A 单向TVS管产品概述

SM8S33A是伯恩半导体(BORN)推出的一款单向瞬态抑制二极管(TVS),专为静电放电(ESD)和瞬态浪涌过压防护设计,广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备等领域的敏感电路保护。

一、产品基本定位与核心属性

该器件属于ESD/浪涌防护器件范畴,采用DO-218AB表面贴装封装,体积紧凑,可直接焊接于PCB板上。作为单向TVS管,仅在反向过压时启动防护,正向保持截止,适合对极性有明确要求的电路场景(如电源端口、单向信号传输线路)。

二、核心电气参数详解

1. 电压类参数

  • 反向截止电压(Vrwm):33V
    正常工作时允许的最大反向电压,在此电压下器件处于截止状态,漏电流极小,不干扰电路信号传输。
  • 击穿电压(Vbr):40.6V
    反向电压超过此值时,器件开始反向击穿,进入防护工作状态,为后级电路“分流”过压能量。
  • 钳位电压(Vc):53.3V
    浪涌脉冲作用下,器件将电路电压钳制在53.3V以下(典型值),确保IC、传感器等敏感元器件不会因过压损坏。

2. 脉冲耐受能力

  • 峰值脉冲电流(Ipp):124A@10/1000μs
    采用10/1000μs标准浪涌波形(前沿10μs、半峰值时间1000μs)时,可承受的最大峰值电流为124A,能应对中等强度的浪涌冲击(如雷电感应、插拔浪涌)。
  • 峰值脉冲功率(Ppp):6.6kW@10/1000μs
    对应相同波形下的最大脉冲功率,反映器件的浪涌能量耐受能力,覆盖多数日常场景的过压能量需求。

3. 漏电流与响应特性

  • 反向漏电流(Ir):5μA
    正常工作电压下,反向漏电流仅5μA,低功耗特性不会对电路造成额外负载影响。
  • 响应时间:ns级
    TVS管典型响应时间为纳秒级,能快速响应静电放电(ESD)等瞬态过压,适配高速信号传输电路。

三、封装与物理特性

SM8S33A采用DO-218AB封装,这是一种小型化表面贴装封装,具有以下优势:

  • 尺寸紧凑:适合高密度PCB设计,节省安装空间(尤其适用于便携设备);
  • 散热性能:封装结构利于热量扩散,可承受脉冲功率产生的瞬时热量;
  • 工艺兼容:支持回流焊、波峰焊等标准表面贴装工艺,适合批量生产。

四、典型应用场景

  1. 消费电子
    智能手机、平板电脑、笔记本电脑的USB接口、HDMI接口、音频接口,防护静电放电和插拔浪涌。
  2. 工业控制
    PLC可编程逻辑控制器、传感器模块、电机驱动电路的输入输出端口,应对工业环境中的雷电感应浪涌和静电干扰。
  3. 通信设备
    路由器、交换机、基站的以太网端口、射频接口,防护通信线路中的过压冲击。
  4. 车载辅助电子
    车载充电器、行车记录仪的接口防护(需确认场景是否符合参数要求,非汽车级器件需注意环境温度限制)。

五、应用注意事项

  1. 极性确认:单向TVS管需严格按极性焊接,反向焊接会导致防护失效甚至器件损坏;
  2. 安装位置:应尽可能靠近被保护器件或接口端,减少引线电感对防护效果的影响;
  3. 参数限制:使用时不得超过最大Vrwm、Ipp等参数,避免过应力损坏;
  4. 焊接温度:DO-218AB封装的回流焊峰值温度需控制在260℃以内,避免高温损伤器件。

SM8S33A凭借高浪涌耐受能力、低漏电流和紧凑封装,成为中低压电路过压防护的实用选择,可有效提升电子设备的可靠性和抗干扰能力。