型号:

PESD15VS2UT-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:-
包装:编带
重量:0.032g
其他:
-
PESD15VS2UT-N 产品实物图片
PESD15VS2UT-N 一小时发货
描述:TVS二极管 PESD15VS2UT-N SOT23
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.286
3000+
0.253
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)15V
钳位电压35V
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压17.6V
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容50pF

PESD15VS2UT-N TVS二极管产品概述

一、产品定位与核心价值

PESD15VS2UT-N是伯恩半导体(BORN)推出的单向ESD防护TVS二极管,专为电子设备的静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)及浪涌干扰防护设计。其核心价值在于小体积封装、宽电压覆盖、多标准兼容,可有效保护敏感电子元件(如MCU、传感器、通信模块等)免受瞬态过压损坏,同时适配消费电子、工业控制、通信等多领域的小型化产品需求。

二、核心电气参数深度解析

该器件的关键参数针对实际防护场景做了优化,核心参数及意义如下:

1. 电压类参数

  • 反向截止电压(Vrwm=15V):正常工作状态下反向截止,不影响15V以下电路(如3.3V、5V系统)的信号传输;
  • 击穿电压(Vbr=17.6V):瞬态过压超过17.6V时触发雪崩击穿,快速导通泄放电流;
  • 钳位电压(Vc=35V):8/20μs标准浪涌波形下,10A脉冲电流通过时,器件两端电压被钳至35V以下,避免后端元件过压击穿。

2. 电流与功率参数

  • 峰值脉冲电流(Ipp=10A@8/20μs):可承受10A标准浪涌电流,覆盖雷电感应、开关浪涌等日常冲击;
  • 峰值脉冲功率(Ppp=350W):由钳位电压与脉冲电流乘积得出(35V×10A),反映瞬时功率耐受能力;
  • 反向漏电流(Ir=100nA):漏电流极小,不影响电路功耗及信号完整性。

3. 高频特性参数

  • 结电容(Cj=50pF):适配低速至中速信号接口(如UART、I2C、USB 2.0),无明显信号失真;若需高频RF应用,可搭配低结电容型号,但本型号已覆盖主流数字接口需求。

三、EMC防护能力与标准兼容

PESD15VS2UT-N通过三项核心EMC防护标准,满足产品认证需求:

  • IEC 61000-4-2(ESD防护):覆盖人体放电(接触±8kV、空气±15kV及以上等级),抵御日常静电冲击(如人体触摸、衣物摩擦);
  • IEC 61000-4-4(EFT防护):应对电源开关、继电器动作产生的快速脉冲群,避免设备误触发;
  • IEC 61000-4-5(浪涌防护):兼容1.2/50μs电压浪涌与8/20μs电流浪涌,抵御雷电感应、电网浪涌。

四、封装与可靠性设计

  • 封装形式:SOT23:超小型表面贴装(尺寸2.9×1.6×1.1mm),适配高密度PCB(如智能手机、可穿戴设备),安装便捷;
  • 可靠性设计:采用成熟TVS工艺,结电容一致性好,漏电流稳定,工作温度范围-55℃~150℃(工业级),满足恶劣环境需求。

五、典型应用场景

该器件因体积小、防护均衡,广泛应用于:

  1. 消费电子:智能手机USB/耳机孔、智能手表无线充电接口;
  2. 工业控制:PLC输入输出模块、RS485总线端口、工业传感器接口;
  3. 通信设备:路由器以太网端口、Wi-Fi模块接口;
  4. 汽车电子(辅助):车载USB接口、显示屏触摸端口(需结合汽车级认证)。

六、选型对比与应用建议

与同类15V单向ESD TVS相比,优势在于:

  • 小体积SOT23封装,比SOT-323节省30%PCB空间;
  • 10A脉冲电流能力,优于竞品5A/8A规格;
  • 伯恩半导体供货稳定,交期短。

应用建议:并联在被保护端口与地之间,靠近接口端安装,缩短信号路径提升防护效果。

该器件凭借均衡的防护能力与小型化设计,成为多领域电子设备瞬态防护的高性价比选择。