型号:

DRV5055Z4QDBZR

品牌:TI(德州仪器)
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
批次:-
包装:编带
重量:0.02g
其他:
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DRV5055Z4QDBZR 产品实物图片
DRV5055Z4QDBZR 一小时发货
描述:RATIOMETRIC LINEAR HALL EFFECT S
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1+
2.15
3000+
2.06
产品参数
属性参数值
磁场范围±169mT
灵敏度12.5mV/mT
灵敏度温漂±0%/℃
线性度±1%
工作电压3V~3.63V;4.5V~5.5V
工作电流6mA
工作温度-40℃~+125℃

DRV5055Z4QDBZR 线性霍尔效应传感器产品概述

DRV5055Z4QDBZR是德州仪器(TI)推出的比例式线性霍尔效应传感器,专为磁场检测、位置/角度感知及非接触式电流监测设计,具备宽磁场范围、零灵敏度温漂、双电源兼容等核心优势,可满足工业、消费电子及恶劣环境下的稳定应用需求。

一、产品核心定位与类别

该器件属于ratiometric(比例式)线性霍尔传感器,输出电压与供电电源电压成严格比例关系,同时随外部磁场强度线性变化——无磁场时输出为电源电压的中间值,磁场增强则输出线性升高/降低(取决于极性),无需额外校准即可适配不同电源系统,是替代传统磁敏元件的高效解决方案。

二、关键性能参数详解

1. 磁场与输出特性

  • 磁场范围:±169mT,覆盖中低强度磁场检测需求,可满足多数工业位置/电流监测场景;
  • 灵敏度:12.5mV/mT,即磁场每变化1mT,输出电压变化12.5mV,线性关系清晰易读;
  • 灵敏度温漂:±0%/℃,温度变化对输出精度无影响(核心优势),彻底解决宽温环境下的漂移问题;
  • 线性度:±1%,输出与磁场强度的线性偏差控制在1%以内,满足常规精度要求。

2. 电源与功耗

  • 工作电压:双范围兼容(3V3.63V、4.5V5.5V),覆盖常见MCU电源(3.3V、5V),无需电平转换;
  • 工作电流:6mA(典型值),低功耗设计适合电池供电或长期运行设备。

3. 环境适应性

  • 工作温度:-40℃~+125℃,符合工业级宽温要求,可在低温(北方户外)、高温(设备内部)下稳定工作;
  • 存储温度:-55℃~+150℃(与宽温特性匹配)。

三、封装与引脚配置

DRV5055Z4QDBZR采用3引脚紧凑型封装,包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3三种形式,均为通用小封装,适合小型化产品(如智能家电、微型传感器模块)。引脚功能固定:

  • 引脚1:VCC(供电电源);
  • 引脚2:GND(接地);
  • 引脚3:OUT(比例式模拟输出)。

四、典型应用场景

  1. 非接触式电流监测:通过检测导线周围磁场间接测电流,避免传统传感器的功耗与安全隐患,适用于电机驱动、电源系统;
  2. 位置检测:如家电阀门位置、工业机械臂关节位置、打印机纸路检测等,利用磁场变化判断物体位移;
  3. 角度感知:配合旋转磁体检测角度(如旋钮位置、电机转子角度),线性输出便于MCU计算角度;
  4. 工业控制:宽温与低漂移特性适合工厂自动化(传送带位置、液位传感器辅助);
  5. 消费电子:智能门锁磁体检测、手持设备姿态辅助感知等。

五、工作原理与核心优势

1. 霍尔效应基础

器件内部集成霍尔元件,外部磁场垂直穿过时产生霍尔电压,经放大、比例式校准后输出。输出关系简化为:
( V_{OUT} = V_{CC} \times \left( 0.5 + \frac{B \times S}{V_{CC}} \right) )
(( B )为磁场强度,( S )为12.5mV/mT灵敏度)

2. 核心优势

  • 零温漂灵敏度:无需温度补偿电路,宽温下精度稳定;
  • 双电源兼容:适配3.3V/5V系统,降低设计复杂度;
  • 小封装高集成:3引脚封装减少PCB占用,无需外部元件;
  • 宽磁场与宽温:覆盖中低磁场,支持工业级环境。

六、使用注意事项

  1. 电源防护:避免电压超5.5V,建议串联0.1μF去耦电容于VCC与GND之间;
  2. 静电防护:霍尔器件对ESD敏感,焊接时需戴静电手环,避免触摸引脚;
  3. 磁场干扰:远离强磁场源(电机、变压器),避免误触发;
  4. 输出读取:OUT为模拟信号,可直接接入MCU的ADC引脚。

综上,DRV5055Z4QDBZR凭借低漂移、宽兼容、小封装等特性,成为磁场检测领域的高性价比选择,适用于多种工业与消费电子场景。