型号:

GCJ188R71H222KA01D

品牌:muRata(村田)
封装:0603(1608 公制)
批次:-
包装:编带
重量:0.034g
其他:
-
GCJ188R71H222KA01D 产品实物图片
GCJ188R71H222KA01D 一小时发货
描述:2200pF-±10%-50V-陶瓷电容器-X7R-0603(1608-公制)
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产品参数
属性参数值
容值2.2nF
精度±10%
额定电压50V
温度系数X7R

村田GCJ188R71H222KA01D多层陶瓷电容器(MLCC)产品概述

村田(muRata)GCJ188R71H222KA01D是一款通用型多层陶瓷电容器(MLCC),专为中低压、宽温环境下的电子电路设计,兼具高容量密度、稳定温度特性与小封装优势,广泛应用于消费电子、工业控制等领域。

一、核心参数与型号全解析

该产品的关键参数与型号结构可精准对应,具体如下:

  • 容值与精度:标称容值2200pF(即2.2nF),精度±10%(型号中“K”为精度代码);
  • 额定电压:直流50V(型号中“1H”为电压代码,对应村田MLCC的50V额定值);
  • 温度特性:X7R介质(型号中“R7”为温度特性代码),满足-55℃~+125℃宽温范围,容值漂移控制在±15%以内;
  • 封装规格:0603英寸(1608公制,即1.6mm×0.8mm),型号中“188”为村田封装代码,对应0603小封装;
  • 型号拆解:GCJ(村田通用MLCC系列)+188(封装)+R7(X7R)+1H(50V)+222(容值:22×10²pF)+K(±10%精度)+A01D(包装/等级代码)。

二、关键性能特性

1. 宽温下的容值稳定性

X7R介质是村田MLCC的主流中温稳定介质,相比NPO(高精度但容量密度低)、Y5V(高容量但温度漂移大),该产品在-55℃~+125℃范围内容值变化≤±15%,可有效避免工业设备、车载辅助系统因温度波动导致的电路性能下降(如滤波效果减弱、信号耦合失真)。

2. 中低压场景的可靠性

额定50V DC电压满足大多数中低压电子电路需求,短期可承受1.5倍额定电压(75V)的过压冲击,经村田可靠性测试验证,在25℃/额定电压下寿命可达10000小时以上,无击穿、漏电流超标风险。

3. 小封装下的高容量密度

0603封装尺寸仅1.6mm×0.8mm,厚度约0.8mm,却能实现2.2nF的容值,比同封装NPO介质电容的容量密度高2~3倍,适合便携设备(如智能手机)的高密度贴装需求。

4. 高频响应优势

MLCC的多层结构寄生电感、电阻极低,0603封装的该产品截止频率可达数百MHz,适合高速数字电路的电源去耦、射频前端的信号耦合,可有效抑制电源噪声对信号传输的干扰。

三、典型应用场景

1. 消费电子终端

  • 智能手机/平板电脑:PMIC(电源管理芯片)的高频去耦电容(配合10nF、100nF电容并联),射频前端的信号耦合;
  • 智能穿戴设备:传感器信号调理电路的滤波电容,满足小尺寸与宽温需求。

2. 工业控制领域

  • PLC(可编程逻辑控制器):控制电路的电源滤波、输入输出模块的信号耦合,适应工业现场-20℃~+60℃的环境;
  • 变频器:功率模块的辅助电源去耦,避免电磁干扰影响控制精度。

3. 车载辅助电子系统

若符合AEC-Q200汽车级标准(村田GCJ系列部分型号可满足),可用于车载信息娱乐系统、倒车雷达的电源滤波,适应-40℃~+85℃的车载环境。

4. 通信设备

  • 路由器/交换机:高速以太网接口的电源去耦,抑制高速信号的串扰;
  • 基站射频单元:中频信号的耦合电容,利用其高频响应特性提升信号质量。

四、封装与焊接兼容性

1. 封装尺寸与贴装适配性

封装尺寸符合IPC-J-STD-001标准,贴装精度要求低(中心偏移±0.1mm以内即可可靠焊接),适合高速SMT生产线(贴装速度可达每小时数万片)。

2. 焊接工艺兼容性

支持铅锡(SnPb)与无铅(SnAgCu)两种焊接工艺,回流焊温度峰值为245℃~260℃(无铅工艺),符合RoHS环保要求,无焊接缺陷(如立碑、虚焊)风险。

3. 可靠性测试验证

村田对该产品进行了多项可靠性测试:

  • 高温存储:125℃/1000小时,容值变化≤±5%;
  • 温度循环:-55℃~+125℃/1000 cycles,无开裂、容量下降;
  • 湿度偏压:85℃/85%RH/50V/1000小时,漏电流≤1μA。

五、选型与替代参考

1. 同参数精度升级

若需更高精度(±5%),可选择GCJ188R71H222JA01D(“J”为±5%精度代码),其他参数一致。

2. 电压等级调整

  • 需63V电压:选GCJ188R71J222KA01D(“J”对应63V);
  • 需100V电压:选GCJ188R71K222KA01D(“K”对应100V)。

3. 封装尺寸调整

  • 更小封装(0402):选GRM155R71H222KA01D(GRM为NPO/X7R系列,155对应0402);
  • 更大封装(0805):选GCJ219R71H222KA01D(219对应0805)。

4. 介质特性调整

若需更低温度漂移(±0.5%),可选择NPO介质的GRM188R61C222JA01D(“61C”对应NPO),但同封装容量密度降低。

该产品凭借稳定的性能、小封装与高可靠性,成为中低压电子电路的主流选择,覆盖从消费电子到工业控制的多场景需求。