型号:

2N7002KDHQ

品牌:YANGJIE(扬杰)
封装:SOT-23(TO-236)
批次:-
包装:未知
重量:0.045g
其他:
-
2N7002KDHQ 产品实物图片
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3000+
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产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V,200mA
耗散功率(Pd)520mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)1.75nC@10V
输入电容(Ciss)25pF@25V
反向传输电容(Crss)4pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)8pF

扬杰2N7002KDHQ N沟道MOSFET产品概述

一、产品核心定位与应用方向

扬杰2N7002KDHQ是一款针对小信号控制、低功率驱动场景设计的N沟道增强型MOSFET,属于中压小电流类别。其核心优势在于紧凑封装、宽温适配与低驱动电压兼容,主要面向消费电子、工业传感器、便携设备等领域的负载切换、电平转换及微型驱动需求。

二、关键电性能参数深度解析

从核心参数来看,该器件兼顾了电压耐受、电流能力与驱动兼容性,具体如下:

  1. 电压与电流耐受
    漏源击穿电压(Vdss)达60V,可覆盖5V~50V主流电源系统;连续漏极电流(Id)为300mA,能满足LED、微型传感器等小负载的持续驱动,峰值电流可支持瞬时高负载(需注意功率限制)。
  2. 导通特性
    导通电阻(RDS(on))在4.5V栅极驱动下仅2.5Ω(漏极电流200mA时),既保证低损耗,又适配3.3V/5V等MCU控制电压(无需高电压驱动)。
  3. 阈值与开关速度
    阈值电压(Vgs(th))为1.1V,低阈值设计兼容低电压控制信号;栅极电荷量(Qg)仅1.75nC(10V驱动下),结合输入电容(Ciss=25pF)、反向传输电容(Crss=4pF),开关速度快,适合高频小信号切换。
  4. 功率与温度范围
    最大耗散功率(Pd)520mW,适配SOT-23封装的散热能力;工作温度-55℃~+175℃,覆盖工业级与高温环境(如车载周边、户外传感器)。

三、封装与可靠性特性

该器件采用SOT-23(TO-236)封装,具有以下实用优势:

  • 体积紧凑:尺寸约2.9mm×1.6mm×1.1mm,适合智能手环、蓝牙耳机等便携设备的高密度布局;
  • 引脚标准:3引脚TO-236封装,引脚间距符合常规焊接工艺,易与PCB匹配;
  • 可靠性:宽温范围下参数稳定,扬杰封装工艺确保抗振动、抗湿度性能,适配 harsh 环境。

四、典型应用场景说明

结合参数特性,2N7002KDHQ的典型应用集中在以下场景:

  1. 便携设备电源开关:作为手机、智能手表的小负载(无线充电模块、传感器)切换开关,低导通电阻减少功耗,紧凑封装节省空间;
  2. 低功耗负载驱动:驱动小型LED指示灯、微型电机或传感器,300mA电流满足需求,4.5V驱动适配MCU输出;
  3. 电平转换:实现3.3V控制电路与5V~60V负载电路的隔离,避免电平不匹配导致的信号失真;
  4. 工业传感器接口:作为传感器信号的开关/缓冲,宽温特性适配户外/工业环境的温度变化;
  5. 音频电路切换:耳机与扬声器的输出切换,低电容参数减少音频信号干扰。

五、选型与应用注意事项

  1. 驱动电压匹配:建议栅极驱动电压≥2V(确保可靠导通),优先用4.5V以上驱动以降低导通电阻;
  2. 功率降额:连续电流不超300mA,150℃以上需降额至80%功率,避免过热损坏;
  3. 高频应用限制:开关频率≤100kHz时性能稳定,高频场景需考虑寄生电容对信号的影响;
  4. 散热设计:SOT-23封装散热有限,负载电流接近300mA时,需在PCB增加散热铜箔。

综上,扬杰2N7002KDHQ是一款高性价比的小信号MOSFET,适合对体积、功耗、温度有要求的中低端应用场景,能有效替代同类进口器件。