型号:

RBR3LAM30BTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOD-128
批次:-
包装:编带
重量:0.058g
其他:
-
RBR3LAM30BTR 产品实物图片
RBR3LAM30BTR 一小时发货
描述:Rectifier Diode Schottky Si 30V 3A 2-Pin PMDT-M T/R
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.146
3000+
0.129
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)530mV@3A
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流3A
反向电流(Ir)80uA@30V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)45A;45A

RBR3LAM30BTR 肖特基整流二极管产品概述

一、产品基本属性

RBR3LAM30BTR是ROHM罗姆半导体推出的一款肖特基硅整流二极管,专为低压大电流场景设计。产品采用SOD-128表面贴装封装(2引脚),包装形式为编带(T/R),适配自动化贴装生产线,同时满足小型化电子设备的高密度集成需求。

二、核心电气参数解析

该产品的关键参数精准匹配低压应用的能效与可靠性要求,核心参数及意义如下:

1. 正向压降(Vf)

额定测试条件下(3A连续电流),正向压降仅为530mV,远低于普通硅PN结整流管(通常≥1V)。这一低压降特性是肖特基二极管的核心优势,可显著降低导通过程中的功率损耗(P=Vf×I),例如在3A电流下,导通损耗仅为1.59W,提升电源转换效率达10%以上(对比传统硅管)。

2. 反向耐压与漏电流

  • 直流反向耐压(Vr):30V,满足多数低压系统(如5V、12V、24V)的反向阻断需求,避免反向击穿;
  • 反向电流(Ir):80μA@30V,漏电流水平较低,可减少设备待机或低负载状态下的静态损耗,尤其适合对续航敏感的可穿戴设备、便携式电子等场景。

3. 额定整流电流

连续直流整流电流:3A,可稳定承载3A以下的持续电流,支持短时间(如10s)的脉冲过载(降额设计需结合散热条件)。

三、封装与物理特性

SOD-128封装是该产品的核心设计亮点,具体特性包括:

  • 尺寸紧凑:典型封装尺寸约2.9mm×1.6mm×1.1mm,仅为传统DO-214AC(SMA)封装的1/3左右,大幅节省PCB空间;
  • 双引脚设计:简化布局,降低焊接难度,适配高密度PCB(如智能手机主板、可穿戴设备模组);
  • 编带包装:每卷编带含3000个器件,适配SMT自动贴装,提高生产效率并减少人工成本;
  • 温度适应性:工作温度范围为-55℃~150℃,满足工业级与消费电子的环境要求。

四、典型应用场景

RBR3LAM30BTR的参数特性使其成为以下场景的理想选择:

1. 消费电子电源管理

  • 智能手机、平板的USB Type-C充电回路(5V/3A快充);
  • 便携式设备(如移动电源、蓝牙音箱)的充放电整流;
  • 笔记本电脑辅助电源(12V/3A以下回路)。

2. 可穿戴与小型智能设备

  • 智能手表、手环的电池充放电管理(低漏电流延长待机);
  • 无线耳机充电盒的整流电路。

3. 小型开关电源

  • 5V/3A手机充电器、LED驱动电源的次级整流;
  • 低功率(≤15W)开关电源的续流二极管。

4. 车载低压辅助系统

  • 12V车载电子(如行车记录仪、氛围灯)的电源整流;
  • 小型继电器、传感器的续流保护。

五、产品优势与价值

  1. 能效提升:低正向压降+低反向漏电流,减少导通与待机损耗,符合全球能效标准(如能源之星);
  2. 小型化适配:SOD-128封装支持高密度集成,满足消费电子“轻薄化”趋势;
  3. 可靠性保障:ROHM罗姆的半导体制造工艺,确保器件一致性与长期稳定性(MTBF达10^6小时以上);
  4. 生产兼容性:编带包装适配自动化贴装,降低制造成本;
  5. 降额设计空间:3A额定电流结合宽温度范围,支持复杂环境下的稳定工作(如高温车载场景)。

六、选型与使用注意事项

  1. 应用匹配:仅适用于≤30V反向电压、≤3A连续电流的场景,避免高压(>30V)或大电流(>3A持续)使用;
  2. 散热设计:3A电流下需保证PCB铜箔面积≥10mm²(或增加散热焊盘),避免局部过热;
  3. 焊接规范:回流焊温度≤260℃(持续时间≤30s),避免损伤封装;
  4. 降额使用:环境温度>100℃时,需将电流降额至2A以下,确保器件寿命。

综上,RBR3LAM30BTR是一款专为低压大电流场景优化的肖特基整流二极管,兼具低损耗、小封装、高可靠性等优势,可广泛应用于消费电子、可穿戴设备、小型电源等领域,是罗姆半导体在低压功率器件领域的代表性产品之一。