型号:

2N7001TQDCKRQ1

品牌:TI(德州仪器)
封装:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
批次:-
包装:编带
重量:0.048g
其他:
-
2N7001TQDCKRQ1 产品实物图片
2N7001TQDCKRQ1 一小时发货
描述:AUTOMOTIVE 1-BIT DUAL-SUPPLY BUF
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.68
3000+
1.6
产品参数
属性参数值
通道类型单向
输入信号CMOS
输出信号CMOS
数据速率100Mbps
工作电压(VCCA)1.65V~3.6V
工作电压(VCCB)1.65V~3.6V
元件数1
每个电路通道数1
输出类型推挽式
工作温度-40℃~+125℃
特性断电保护

2N7001TQDCKRQ1 汽车级N沟道MOSFET产品概述

一、产品定位与核心价值

2N7001TQDCKRQ1是德州仪器(TI)推出的汽车级N沟道增强型MOSFET,专为汽车电子系统的小信号/小功率控制场景优化设计。其核心价值在于:

  1. 兼容汽车级严苛环境,满足AEC-Q101可靠性标准;
  2. 宽电压范围适配12V/24V汽车电源系统;
  3. 超小封装适配高密度PCB布局;
  4. 低导通电阻+快速开关,兼顾效率与响应速度。

二、关键技术参数详解

2.1 电气性能核心参数

  • 电压耐受:漏源电压(VDS)最大60V,栅源电压(VGS)最大±20V,适配汽车12V/24V系统的电压波动;
  • 电流能力:连续漏极电流(ID)200mA,脉冲电流(IDM)800mA,满足小负载驱动需求;
  • 导通特性:VGS=4.5V时,导通电阻(RDS(on))典型值5Ω,确保低功耗;
  • 逻辑兼容:阈值电压(VGS(th))典型1.2V,兼容CMOS/TTL电平,无需额外电平转换。

2.2 环境与可靠性参数

  • 工作温度:-40℃~+125℃(覆盖汽车发动机舱、车身内外极端场景);
  • ESD防护:人体模型(HBM)±2kV、机器模型(MM)±200V,降低静电损坏风险;
  • 断电保护:具备电源断电时的信号隔离能力,避免反向电流损坏后端电路。

三、封装形式与应用适配

该器件采用SC-70-5(SOT-353)超小型封装,尺寸仅1.6mm×1.6mm×0.8mm,引脚间距0.95mm,适配车载高密度PCB设计(如BCM、传感器模块等)。封装优势:

  • 减少PCB占用面积,提升系统集成度;
  • 符合自动化贴装要求,降低生产难度;
  • 封装材料耐高温、抗振动,适配汽车行驶中的机械应力。

四、典型应用场景

广泛覆盖汽车电子多个细分领域:

  1. 车身控制模块(BCM):驱动LED指示灯、小型继电器线圈、门锁/车窗辅助开关;
  2. 传感器接口:温度、压力、位置传感器的信号放大/开关,或模拟信号通断控制;
  3. 车载信息娱乐系统:音频信号切换、按键背光驱动、小功率负载控制;
  4. ADAS辅助系统:雷达/摄像头模块的辅助开关、低功耗信号调理。

五、汽车级可靠性保障

作为TI汽车级产品线一员,该器件通过AEC-Q101认证,满足汽车电子可靠性要求:

  • 长期可靠性测试:温度循环、湿度老化、振动测试等,确保10年以上使用寿命;
  • 抗干扰设计:优化内部结构,降低电磁辐射(EMI)与提升抗电磁干扰(EMS)能力;
  • 质量一致性:TI严格生产管控,批量产品参数一致性高,降低系统设计风险。

该器件以高可靠性、小体积、宽适配性,成为汽车电子小信号控制场景的优选器件。