型号:

WSF40N10

品牌:WINSOK(微硕)
封装:TO-252-2(DPAK)
批次:-
包装:编带
重量:0.475g
其他:
-
WSF40N10 产品实物图片
WSF40N10 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 52.1W 100V 40A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.36
2500+
1.3
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@6V
耗散功率(Pd)52.1W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)84nC@10V
输入电容(Ciss)5.387nF
反向传输电容(Crss)115pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)192pF

WSF40N10 N沟道MOSFET产品概述

一、产品基本定位

WSF40N10是WINSOK(微硕) 推出的一款高性能N沟道增强型MOSFET,采用TO-252-2(DPAK)贴片封装,专为中低压、大电流功率场景设计。器件兼具低导通损耗、高电流承载能力与宽温可靠性,可满足工业控制、消费电子、车载电源等多领域的功率转换与开关控制需求。

二、核心电参数深度解析

1. 耐压与电流能力

  • 漏源击穿电压(Vdss)达100V,可覆盖多数中低压(≤100V)应用场景(如12V/24V车载系统、48V工业电源);
  • 连续漏极电流(Id)为40A,支持持续大电流输出,避免过载风险,同时提供10%以上的余量设计,提升系统安全性。

2. 低导通损耗特性

导通电阻(RDS(on))仅58mΩ(@Vgs=6V、Id=15A),该参数直接决定器件导通时的功率损耗(P=I²×RDS(on))。低RDS(on)可显著降低发热,尤其适合持续负载场景(如电源转换、电机运行),帮助系统减少散热成本,提升效率。

3. 栅极控制与开关特性

  • 阈值电压(Vgs(th))为4V(@Id=250uA),既避免栅极误触发,又兼容常见驱动芯片(如5V/10V驱动);
  • 栅极电荷量(Qg)84nC(@Vgs=10V)、输入电容(Ciss)5.387nF、反向传输电容(Crss)115pF,平衡了开关速度与驱动损耗:适合几十kHz的中等频率开关应用(如DC-DC转换器),无需额外复杂驱动电路。

4. 宽温可靠性

工作温度范围覆盖**-55℃至+150℃**,符合工业级器件标准,可在极端环境(如户外设备、车载低温/高温场景)中稳定工作,抗温漂性能优异,减少环境变化对参数的影响。

三、封装与散热设计

WSF40N10采用TO-252-2(DPAK)贴片封装,具有三大优势:

  1. 体积紧凑:贴片式设计节省PCB空间,适合小型化产品(如便携式电源、智能家居设备);
  2. 散热高效:封装热阻低,结合52.1W的最大耗散功率(Pd),可通过PCB铜箔或小型散热片满足散热需求,无需大型散热装置;
  3. 工艺兼容:适用于自动化贴片生产,降低组装成本,提升批量生产效率。

四、典型应用场景

基于参数特性,WSF40N10广泛应用于以下领域:

  1. DC-DC转换器:车载12V/24V电源转换、工业低压电源模块,低导通损耗提升转换效率(可达90%以上);
  2. 小型电机驱动:电动工具(如电钻、割草机)、智能家居电机(如扫地机器人)的驱动控制,40A电流能力满足电机启动与运行需求;
  3. 负载开关:电池保护电路、设备电源切换,快速开关特性(ns级)提升响应速度;
  4. LED驱动:中功率LED照明(如路灯、面板灯)的恒流/恒压驱动,稳定电流控制减少光衰;
  5. 工业控制:小型PLC、传感器模块的功率开关,宽温范围适应工业现场(如车间高温、户外低温)。

五、品牌与质量保障

WINSOK(微硕)作为国内功率器件领域的专业厂商,WSF40N10遵循严格质量标准:

  • 批量参数一致性好:电参数偏差≤5%,确保系统设计稳定性;
  • 可靠性测试:通过高低温循环(-55℃~150℃)、湿度老化(85℃/85%RH)等测试,满足工业级应用要求;
  • 技术支持:提供完整datasheet与应用参考电路,帮助客户快速完成电路设计与调试。

总结

WSF40N10凭借高耐压、大电流、低损耗、宽温可靠的特性,成为中低压功率应用的高性价比选择。无论是消费电子的小型化设计,还是工业控制的 harsh 环境,均可有效提升系统效率与稳定性,降低研发与生产综合成本。