型号:

HCB3216KF-301T30

品牌:TAI-TECH(台庆)
封装:1206
批次:-
包装:-
重量:0.042g
其他:
-
HCB3216KF-301T30 产品实物图片
HCB3216KF-301T30 一小时发货
描述:磁珠 300Ω@100MHz 40mΩ ±25% 3A 1206
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.176
3000+
0.156
产品参数
属性参数值
阻抗@频率300Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)40mΩ
额定电流3A
通道数1

HCB3216KF-301T30 片式磁珠产品概述

一、产品定位与核心应用

HCB3216KF-301T30是台庆(TAI-TECH)推出的中高频高电流片式磁珠,核心作用是抑制电子系统的电磁干扰(EMI),尤其适配需要兼顾「大电流承载」和「100MHz频段干扰衰减」的场景。典型应用包括:

  • 消费电子:智能电视、笔记本电脑的主板电源滤波(3A电流满足供电需求);
  • 工业控制:PLC、伺服驱动器的信号/电源线路(应对开关电源100MHz左右的噪声);
  • 通信设备:5G小基站、路由器的射频接口(衰减100MHz频段杂散信号);
  • 车载电子:车载中控、ADAS模块的低功率电源滤波(适配车载宽温环境)。

该磁珠通过「低直流损耗+目标频段高阻抗」,在不影响直流/低频信号传输的前提下,有效衰减高频干扰,提升系统EMC合规性。

二、核心电气性能参数解析

磁珠性能的核心是频率依赖阻抗、直流电阻、额定电流,HCB3216KF-301T30的关键参数如下:

  1. 阻抗特性:300Ω±25%@100MHz
    100MHz是电子设备常见干扰频段(如开关电源噪声、射频杂散),300Ω阻抗可对该频段噪声实现约10dB以上衰减(需结合回路阻抗计算),是针对性抑制100MHz干扰的核心指标。
  2. 直流电阻(DCR):40mΩ
    低DCR是高电流磁珠的关键:3A电流下直流损耗仅0.36W(I²R=3²×0.04),远低于普通磁珠,避免发热导致性能下降或系统效率降低。
  3. 额定电流:3A(持续工作电流)
    3A额定值适配大多数「中等功率回路」(如12V/3A=36W电源模块),无需并联即可满足电流需求,简化PCB设计。
  4. 通道数:1(单通道)
    单通道结构适合单路信号/电源独立滤波,避免多路串扰。

三、封装与结构特点

  1. 封装规格:3216(公制)/1206(英制)
    尺寸为3.2mm×1.6mm×1.0mm(典型值),符合SMT工艺,适配自动化组装,且尺寸紧凑,适合高密度PCB设计(如手机、小型通信模块)。
  2. 叠层铁氧体结构
    采用台庆专利叠层工艺,相比传统绕线磁珠:
    • 一致性更好:阻抗误差≤±25%,批量性能稳定;
    • 抗振动/冲击强:片式无引线,不易因机械应力损坏,适配车载、工业环境;
    • 环保合规:符合RoHS 2.0、REACH,无铅焊接兼容。

四、可靠性与适用环境

台庆磁珠针对工业/消费电子环境的可靠性设计:

  • 温度范围:典型-40℃~+85℃(工业级),短期可承受+125℃(如回流焊峰值);
  • 焊接兼容性:支持回流焊(峰值260℃≤10s)、波峰焊(峰值250℃≤5s),无虚焊风险;
  • 长期稳定性:1000小时高温老化后,阻抗变化≤±5%,DCR变化≤±10%,满足设备长期工作需求。

五、选型与使用注意事项

  1. 选型匹配建议
    • 干扰频段偏离100MHz时,需选对应频段阻抗型号(如50MHz干扰选50MHz下高阻抗款);
    • 电流超3A时,可并联同型号磁珠(并联后电流加倍、阻抗减半);
    • 空间紧张可换0805封装,但需注意电流承载下降。
  2. 使用注意事项
    • 磁珠需串联在滤波回路(电源正极、信号传输线),并联会降低阻抗;
    • 避免靠近高频元件(射频芯片、晶振),防止吸收自身辐射干扰;
    • 存储需干燥环境(湿度≤60%),开封后尽快使用,避免受潮影响焊接。

该产品通过平衡「电流承载、滤波效率、封装尺寸」,成为中高频干扰抑制场景的实用选择,适配多数电子设备的EMC设计需求。