型号:

PESD3V3L1BA-MS

品牌:MSKSEMI(美森科)
封装:SOD-323
批次:-
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
PESD3V3L1BA-MS 产品实物图片
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产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压24V
峰值脉冲电流(Ipp)20A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)480W@8/20us
击穿电压4V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容100pF

PESD3V3L1BA-MS 产品概述

一、产品定位与核心功能

PESD3V3L1BA-MS是美森科(MSKSEMI)推出的双向ESD防护二极管,专为3.3V低电压系统设计,核心作用是抑制静电放电(ESD)和电快速瞬变脉冲群(EFT)干扰,保护敏感电子元件免受瞬态过压损坏。该器件无需区分正负极,安装便捷,且体积紧凑,适配小型化电子设备的布局需求。

二、核心电气参数详解

1. 工作状态与导通特性

  • 反向截止电压(Vrwm):3.3V,与主流3.3V供电系统完美匹配,正常工作时处于截止状态,不影响系统信号传输;
  • 击穿电压:4V,略高于工作电压,确保静电/浪涌触发时快速导通,实现过压防护;
  • 反向漏电流(Ir):仅1μA(典型值),低漏电流特性可有效降低系统静态功耗,避免对低功耗设备造成额外电流消耗。

2. 防护能力参数

  • 峰值脉冲电流(Ipp):20A(@8/20μs波形),可承受高强度瞬态电流冲击,应对常见静电与浪涌场景;
  • 峰值脉冲功率(Ppp):480W(24V×20A),与钳位电压、脉冲电流精准匹配,满足强干扰场景的功率耐受要求;
  • 钳位电压:24V,器件导通时将过压钳位至安全范围,避免后端元件因过压击穿损坏。

3. 高频特性与应用适配

  • 结电容(Cj):100pF(典型值),虽不适用于超高速接口(如USB3.0+),但可满足USB2.0、I2C、SPI等中低速数字接口的防护需求,平衡防护性能与信号完整性。

三、防护标准与可靠性

该器件严格遵循国际电磁兼容(EMC)标准,通过两项核心测试:

  • IEC 61000-4-2:静电放电防护,可应对人体接触放电(±8kV接触、±15kV空气)和设备间静电干扰;
  • IEC 61000-4-4:电快速瞬变脉冲群防护,抑制设备内部/外部的快速脉冲干扰(如开关瞬变、电源波动)。

封装采用SOD-323(表面贴装),尺寸紧凑(1.6mm×0.8mm×0.7mm),适配小型化电子设备布局;器件可靠性经美森科测试验证,可稳定工作于宽温度范围(商业级070℃,工业级可扩展至-4085℃),长期使用无性能衰减。

四、典型应用场景

PESD3V3L1BA-MS的特性使其适用于以下场景:

  1. 可穿戴电子设备:智能手表、手环、蓝牙耳机等低功耗3.3V设备,防护静电与充电瞬变;
  2. IoT传感器节点:温湿度、运动传感器等户外/室内节点,应对环境静电与电源浪涌;
  3. 消费电子接口:USB 1.1/2.0、耳机接口、充电端口等,保护接口电路免受插拔静电损坏;
  4. 工业控制模块:PLC的I2C/SPI通信口、低电压传感器接口,抑制工业环境中的瞬变干扰;
  5. 小型充电设备:手机充电器、移动电源输出端口,防护静电与浪涌冲击。

五、产品优势总结

  • 双向防护:无需区分正负极,简化电路设计与安装流程;
  • 低功耗适配:1μA漏电流,适合智能穿戴、IoT等低功耗设备;
  • 紧凑封装:SOD-323体积小,支持高密度PCB布局;
  • 标准合规:符合IEC 61000-4-2/4-4,满足EMC认证要求;
  • 宽防护范围:20A脉冲电流、24V钳位电压,覆盖90%以上常见干扰强度。

该器件是3.3V系统中低速接口ESD防护的高性价比选择,可有效提升电子设备的抗干扰能力与可靠性。