型号:

SMDJ8.5A

品牌:晶导微电子
封装:SMC(DO-214AB)
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包装:未知
重量:0.386g
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产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)8.5V
钳位电压14.4V
峰值脉冲电流(Ipp)208.3A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)3kW@10/1000us
击穿电压(VBR)10.4V
反向电流(Ir)20uA
工作温度-65℃~+150℃
类型TVS

晶导微电子SMDJ8.5A瞬态抑制二极管(TVS)产品概述

一、产品定位与核心属性

SMDJ8.5A是晶导微电子推出的表面贴装瞬态抑制二极管(TVS),采用SMC(DO-214AB)封装,专为各类电子系统的瞬态过压防护设计——可有效抑制雷击、静电放电(ESD)、开关浪涌等瞬态干扰,保护后端敏感元器件(如微控制器、传感器、通信芯片)免受损坏。其核心定位是中低电压范围、高浪涌耐受、宽温适用的TVS器件,覆盖汽车、工业、通信等多领域需求。

二、核心电气参数深度解析

SMDJ8.5A的参数设计针对实际过压防护场景优化,关键指标如下:

1. 电压类参数(防护核心)

  • 反向截止电压(Vrwm):8.5V
    电路正常工作时,反向偏置下不导通的最大电压阈值。当系统工作电压≤8.5V时,器件处于截止态,无额外功耗,不影响电路效率。
  • 击穿电压(Vbr):10.4V
    过压防护的启动阈值——当瞬态电压超过10.4V时,器件快速从截止态切换为导通态,启动钳位功能。
  • 钳位电压(Vc):14.4V
    过压防护的最终目标:导通后将电路电压稳定在14.4V(典型值),确保后端器件(如15V耐受的MCU、传感器)不被击穿。

2. 浪涌耐受能力(抗干扰核心)

  • 峰值脉冲功率(Ppp):3kW@10/1000μs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):208.3A@10/1000μs
    10/1000μs是模拟雷击浪涌的标准波形(电压上升10μs,持续1000μs),3kW功率与208.3A电流可应对IEC 61000-4-5浪涌等级4级(2kV/2Ω)的强干扰。

3. 其他关键参数

  • 反向漏电流(Ir):20μA
    正常工作时漏电流极低,避免因漏电流导致的电路功耗增加或信号干扰。
  • 工作温度:-65℃~+150℃
    覆盖汽车(-40℃125℃)、工业(-20℃85℃)等严苛环境,极端温度下仍稳定工作。

三、封装与品牌背景

1. SMC(DO-214AB)封装特点

SMC是一种表面贴装塑料封装,典型尺寸为3.0mm×2.3mm×1.1mm,优势包括:

  • 支持自动化贴装,生产效率高;
  • 无引线设计,减少寄生电感,提升响应速度(ns级);
  • 散热性能良好,可快速散发热量(脉冲功率下的瞬时热量)。

2. 晶导微电子品牌优势

晶导微电子是国内功率半导体领域龙头企业,专注于TVS、MOSFET、IGBT等器件研发,其TVS产品线通过AEC-Q101(汽车级)、ISO 9001等认证,可靠性符合工业与汽车级标准,产品广泛应用于汽车电子、工业控制、通信等领域。

四、典型应用场景

SMDJ8.5A的参数特性使其适用于多类系统的过压防护,典型场景包括:

1. 汽车电子

  • 车载娱乐系统(中控屏、音响)的电源端口;
  • 车身控制模块(BCM)、胎压监测(TPMS)传感器的信号接口;
  • 应对车载环境的点火浪涌、负载突变干扰。

2. 工业控制

  • PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器的电源输入;
  • 工业传感器(温度、压力)的信号端口,适应宽温与电磁干扰环境。

3. 通信设备

  • 路由器、交换机的电源端口、以太网接口;
  • 基站的射频模块接口,抑制雷击浪涌。

4. 消费电子

  • 高端笔记本、平板的USB Type-C接口;
  • 电源适配器的输出端,防护静电(IEC 61000-4-2等级4级)。

五、关键性能优势总结

  1. 强浪涌耐受:3kW峰值功率+208.3A峰值电流,应对强瞬态干扰;
  2. 宽温可靠:-65℃~+150℃,覆盖汽车、工业等严苛场景;
  3. 精准防护:ns级响应+14.4V钳位,保护后端敏感器件;
  4. 低功耗:20μA反向漏电流,不影响电路效率;
  5. 易集成:SMC封装紧凑,适合高密度PCB布局。

SMDJ8.5A凭借平衡的性能与可靠的设计,成为汽车、工业、通信等领域过压防护的优选方案,可有效提升电子系统的抗干扰能力与使用寿命。