型号:

MPSA56

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-92(TO-92-3)
批次:-
包装:-
重量:0.000213
其他:
-
MPSA56 产品实物图片
MPSA56 一小时发货
描述:三极管(BJT) 625mW 80V 500mA PNP TO-92-3
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产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)625mW
直流电流增益(hFE)100@100mA,1V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)4V
数量1个PNP

MPSA56(PNP型双极型晶体管)产品概述

MPSA56是一款PNP型通用双极型晶体管(BJT),由国内知名半导体厂商江苏长电(CJ)生产,采用TO-92-3标准插件封装,适用于中低频小信号放大、低速开关及低压控制等场景。以下从核心特性、参数解析、应用场景等维度展开详细概述。

一、器件类型与基础定位

MPSA56属于通用PNP型BJT,区别于NPN型的电流流向(发射极电流流入基极),适合构建互补对称电路或特定极性驱动场景。其采用TO-92-3插件封装,引脚数量为3个,支持手工焊接与自动化插件,成本低、易获取,是电子设计中常用的基础器件之一。

二、关键电性能参数深度解析

MPSA56的参数针对小功率应用优化,核心参数如下:

1. 功率与电流容量

  • 耗散功率(Pd):625mW(结温下的最大允许功耗,连续工作时需注意散热,若用于脉冲场景可适当提升功率,但需控制占空比);
  • 集电极电流(Ic):500mA(连续工作的最大集电极电流,可覆盖多数小功率负载,如小型LED、继电器线圈);
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):250mV(测试条件:Ic=100mA、Ib=10mA时的饱和压降,低饱和压降可减少开关损耗,提升电路效率)。

2. 电压击穿与漏电流

  • 集射极击穿电压(Vceo):80V(基极开路时集电极与发射极间的最大击穿电压,为24V/48V等低压应用提供充足余量);
  • 射基极击穿电压(Vebo):4V(集电极开路时发射极与基极间的击穿电压,需避免反向偏置过压,防止器件损坏);
  • 集电极截止电流(Icbo):100nA(基极开路时集电极的反向漏电流,低漏电流可保证静态工作点稳定,减少热漂移对电路的影响)。

3. 增益与频率特性

  • 直流电流增益(hFE):100(测试条件:Vce=1V、Ic=100mA时的线性区增益,增益稳定,适合小信号放大);
  • 特征频率(fT):50MHz(截止频率,表征晶体管高频放大能力,属于中低频应用范围,不适合射频以上场景)。

三、适用典型应用场景

结合MPSA56的参数特性,其主要应用于以下场景:

1. 中低频小信号放大

如音频前置放大电路、传感器微弱信号调理(热电偶、光敏电阻信号放大),低漏电流(100nA)可有效抑制噪声,稳定放大微弱信号。

2. 低速开关电路

如500mA以内的LED驱动、小型继电器线圈驱动、简单电平转换电路,低饱和压降(250mV)可减少开关时的功率损耗。

3. 低压电源辅助控制

如24V/48V低压电源的反馈调节、过流保护电路,Vceo=80V的击穿余量可覆盖电源波动,提升电路可靠性。

4. 互补对称电路

与NPN型晶体管(如MPSA42)配合,构建互补对称放大电路(如音频功率放大前置级),实现正负信号的对称放大。

四、可靠性与环境适应性

MPSA56的可靠性满足多数工业及消费电子需求:

  • 工作温度范围:-55℃~+150℃(宽温范围,可适应户外低温、工业控制柜高温环境);
  • 参数稳定性:低漏电流、稳定hFE,减少温度变化对电路性能的影响;
  • 封装可靠性:TO-92-3塑料封装耐振动、抗冲击,适合批量插件工艺。

五、品牌与封装细节

  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶),国内半导体龙头企业,产品通过ISO9001认证,质量稳定、供货充足;
  • 封装:TO-92-3(引脚布局:平面一侧朝向用户时,从左到右依次为发射极(E)、基极(B)、集电极(C)),方便手工焊接与电路设计。

总结

MPSA56作为性价比高的PNP型通用晶体管,凭借稳定电性能、宽温适应性及易使用的TO-92封装,广泛应用于中低频小信号放大、低速开关及低压控制场景,是电子工程师原型开发与批量生产的常用器件之一。