型号:

2SB1261

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-252-2L
批次:-
包装:编带
重量:0.000430
其他:
-
2SB1261 产品实物图片
2SB1261 一小时发货
描述:三极管(晶体管) 2SB1261 TO-252-2L(4R) 100-200
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2500+
0.479
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)60@0.2A,2V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@1.5A,0.15A
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)7V
数量1个PNP

2SB1261 PNP功率晶体管产品概述

一、产品基本定位

2SB1261是江苏长电(CJ) 推出的一款PNP型中小功率晶体管,采用TO-252-2L(4R)表面贴装封装,主打宽温适应性、低饱和损耗稳定电流增益,适用于工业控制、音频放大、低速开关等场景,是替代传统插件晶体管的高性价比选型。

二、核心电参数详解

产品参数覆盖极限特性、直流特性与频率特性,关键参数直接决定其应用边界:

1. 极限参数(绝对最大值)

  • 集射极击穿电压(VCEO):60V:集电极与发射极间允许的最大反向电压,若超过将导致器件击穿损坏;
  • 集电极电流(IC):3A:集电极允许的最大持续电流(需结合耗散功率降额);
  • 耗散功率(Pd):1W:25℃环境下的最大允许功耗,温度升高时需按降额曲线降低功率;
  • 射基极击穿电压(VEBO):7V:发射极与基极间的最大反向电压,避免基极过压损坏;
  • 工作温度范围:-55℃~+150℃:支持工业级宽温环境,适应低温启动或高温负载场景。

2. 直流特性

  • 直流电流增益(hFE):60@IC=0.2A、VCE=2V:在典型工作点下电流增益稳定,一致性好,适合信号放大;
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@IC=1.5A、IB=0.15A:饱和状态下的电压损耗极低,开关效率高;
  • 集电极截止电流(ICBO):10μA:截止状态下漏电流小,空载功耗低,适合对静态功耗敏感的电路。

3. 频率特性

  • 特征频率(fT):50MHz:有效放大频率上限,覆盖音频频段(20Hz~20kHz)及低速开关场景,不支持高频射频应用。

三、封装与品牌信息

  • 封装:TO-252-2L(4R):表面贴装式封装,引脚布局紧凑,适合自动化贴片生产,节省PCB空间;
  • 品牌:江苏长电(CJ):国内半导体行业龙头企业,产品通过AEC-Q101等可靠性认证,适用于汽车电子、工业控制等领域。

四、典型应用场景

结合参数特性,2SB1261的核心应用方向包括:

  1. 中小功率开关电路:低饱和压降(300mV)适合控制小型负载(如LED阵列、微型继电器、直流小电机),开关损耗小;
  2. 音频放大电路:50MHz特征频率覆盖音频频段,稳定hFE适合音频前置放大或1W以内小功率后级放大;
  3. 电源电路辅助:可作为线性稳压电源的调整管(需降额使用),或开关电源的辅助开关管;
  4. 工业控制电路:宽温范围(-55℃~150℃)支持户外设备、车载电子等恶劣环境应用。

五、应用注意事项

为避免器件损坏,需注意以下要点:

  1. 功率降额:25℃时Pd=1W,100℃时降额至0.6W,150℃时仅允许0.2W,需根据环境温度调整负载功率;
  2. 电压限制:VCEO≤60V,VEBO≤7V,严禁超压使用;
  3. 电流降额:持续工作时IC建议控制在1.5A以内(结合Pd),避免峰值电流冲击;
  4. 散热设计:若工作在高负载(如IC=1A),需在TO-252封装上贴小型散热片,降低结温;
  5. 极性确认:PNP型器件引脚极性需与电路匹配,接反将导致反向击穿。

六、总结

2SB1261作为一款PNP中小功率晶体管,以宽温适应性、低饱和损耗、稳定增益为核心优势,结合TO-252贴装封装的便捷性,适合替代传统插件器件,在音频、工业控制、小型开关电路中具有较高性价比。