型号:

STTH1512G-TR

品牌:ST(意法半导体)
封装:D2PAK
批次:-
包装:编带
重量:0.001640
其他:
-
STTH1512G-TR 产品实物图片
STTH1512G-TR 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 2.1V@15A 1.2kV 15uA@1.2kV 15A
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产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)2.1V@15A
直流反向耐压(Vr)1.2kV
整流电流15A
反向电流(Ir)15uA@1.2kV
反向恢复时间(Trr)105ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)200A

STTH1512G-TR 快恢复/高效率二极管产品概述

STTH1512G-TR是意法半导体(ST)推出的一款中功率快恢复二极管,专为高频开关电源、逆变系统等场景设计,兼具低导通损耗与快速开关特性,可有效提升电源转换效率并降低系统发热,是工业电源、新能源领域的实用器件。

一、核心电气参数与性能亮点

该器件的参数精准匹配15A级中高压应用需求,核心指标及意义如下:

  • 正向压降(Vf):2.1V(典型值,@15A直流电流)—— 远低于普通硅整流管(通常3V以上),显著降低导通损耗,减少电源发热与散热成本;
  • 直流反向耐压(Vr):1.2kV —— 满足多数中高压应用的反向电压需求,无需额外串联器件;
  • 额定整流电流(If):15A —— 可稳定承载连续直流/脉动电流,适配15A级功率回路;
  • 反向恢复时间(Trr):105ns(典型值)—— 快恢复特性的核心指标,大幅降低开关过程中的反向恢复损耗,提升高频工作效率;
  • 反向漏电流(Ir):15μA(@1.2kV反向电压)—— 漏电流极低,反向截止状态下功耗可忽略;
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):200A(@8.3ms脉冲宽度)—— 具备较强的瞬间过流耐受能力,可应对电源启动、负载突变等浪涌场景,提升系统可靠性。

二、封装与物理特性

STTH1512G-TR采用D2PAK(TO-263)表面贴装封装,具备以下优势:

  1. 散热性能优异:封装引脚与焊盘设计可有效将结温传导至PCB铜箔,配合适当散热片可满足15A电流下的散热需求;
  2. 贴装兼容性好:表面贴装结构适配自动化SMT产线,适合批量生产;
  3. 尺寸紧凑:封装尺寸约为6.6mm×9.0mm×2.3mm,可节省PCB空间,适配高密度电源设计。

三、典型应用场景

基于其参数特性,STTH1512G-TR广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源(SMPS):作为输出整流管,适配15A级AC-DC或DC-DC转换模块,提升效率并降低发热;
  2. 不间断电源(UPS):用于逆变/整流环节的高频开关回路,应对市电切换时的浪涌与高频工作需求;
  3. 光伏逆变器:直流侧整流或逆变侧续流,适配中功率光伏组件的功率输出;
  4. 电机驱动系统:AC-DC整流或直流电机驱动的续流回路,提升驱动效率;
  5. 工业电源:电焊机、感应加热设备、变频器等的功率整流环节,耐受工业环境下的电压波动与浪涌。

四、产品优势与选型价值

对比同功率等级的普通整流管或慢恢复二极管,STTH1512G-TR的核心价值在于:

  • 效率提升:低Vf+短Trr的组合,可将开关电源的整体效率提升2%-5%,减少散热成本;
  • 可靠性增强:高浪涌能力与低漏电流,降低器件失效风险,延长系统寿命;
  • 品牌保障:ST半导体的工艺一致性与质量管控,确保批量应用中的性能稳定;
  • 成本优化:单器件即可满足15A/1.2kV需求,无需并联/串联,简化电路设计并降低BOM成本。

五、应用注意事项

为保证器件稳定工作,需注意以下要点:

  1. 工作温度范围:器件结温需控制在-55℃至150℃之间,实际应用中需通过PCB铜箔面积(建议≥10cm²)或散热片实现有效散热;
  2. 电压降额:实际反向工作电压建议不超过额定值的80%(即≤960V),避免过压击穿;
  3. 电流降额:连续工作电流建议不超过额定值的90%(即≤13.5A),预留余量应对负载波动;
  4. 浪涌防护:非重复浪涌需严格控制脉冲宽度与幅值,避免超出Ifsm参数范围。

总结而言,STTH1512G-TR是一款平衡效率、可靠性与成本的中功率快恢复二极管,可满足多数中高压高频电源系统的核心需求,是工业电源、新能源等领域的优选器件。