型号:

SMMDL914T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOD-323
批次:-
包装:-
重量:0.028g
其他:
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SMMDL914T1G 产品实物图片
SMMDL914T1G 一小时发货
描述:开关二极管 独立式 1V@10mA 100V 200mA SOD-323
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3000+
0.776
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1V@10mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
耗散功率(Pd)200mW
反向电流(Ir)5uA@75V
反向恢复时间(Trr)4ns
工作结温范围-55℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)500mA

SMMDL914T1G开关二极管产品概述

一、产品核心定位与品牌背景

SMMDL914T1G是安森美(ON Semiconductor) 推出的一款独立式高速开关二极管,专为高频切换、信号箝位及电路保护场景设计。安森美作为全球领先的半导体制造商,其产品以高可靠性、宽环境适应性及批量一致性著称,该器件延续了品牌在功率与信号器件领域的技术优势,适配各类小型化、高性能电子系统的需求。

二、关键电气参数详解

该器件的核心电气参数精准匹配高速开关场景的性能要求,具体如下:

  1. 正向特性:正向压降(Vf)为1V(@10mA测试条件),属于低导通损耗设计,可有效降低电路工作时的功率消耗;持续整流电流(直流)额定值为200mA,满足中小功率电路的持续工作需求。
  2. 反向特性:直流反向耐压(Vr)达100V,可承受中等电压场景下的反向偏置;反向漏电流(Ir)仅5μA(@75V测试条件),漏电流小,确保反向状态下的电路稳定性;反向恢复时间(Trr)为4ns,是高速开关二极管的核心指标,可显著减少切换过程中的能量损耗与电磁干扰。
  3. 功率与可靠性参数:额定耗散功率(Pd)为200mW,需注意电路设计中避免长期超过该功耗;非重复峰值浪涌电流(Ifsm)为500mA,可承受瞬间过流冲击,提升电路抗干扰能力;工作结温范围覆盖**-55℃至+150℃**,宽温特性适配工业级、消费电子等多场景的温度变化。

三、封装与物理特性

SMMDL914T1G采用SOD-323 小型表面贴装封装,具有以下优势:

  • 尺寸紧凑:SOD-323封装为2引脚表面贴装设计,占用PCB面积小,适合高密度电路布局(如可穿戴设备、便携电子等小型化系统);
  • 贴装兼容性:支持自动贴装工艺,可与主流SMT生产线匹配,降低生产难度与成本;
  • 独立式配置:引脚布局清晰,焊接可靠性高,便于电路设计中的布局优化。

四、典型应用场景

结合该器件的高速开关特性与小型化封装,其典型应用包括:

  1. 高速逻辑电路箝位:用于数字电路中的信号电平箝位,避免过冲电压对逻辑芯片的损伤;
  2. 射频(RF)信号切换:适配低功率RF电路中的信号路径切换,低反向恢复时间可减少信号失真;
  3. 开关电源辅助控制:作为辅助开关管或保护元件,用于小功率开关电源的反馈与保护回路;
  4. ESD防护:在高速数据接口(如USB、HDMI)中,配合其他防护元件实现静电放电保护;
  5. 便携电子系统:如智能手机、智能手表等设备中的电源管理与信号切换电路,适配其小型化需求。

五、应用注意事项

为确保器件稳定工作,需注意以下要点:

  1. 电流与功率限制:持续工作电流不得超过200mA,瞬间浪涌电流(非重复)不超过500mA,避免长期过载导致器件损坏;
  2. 电压范围:反向偏置电压不得超过100V,正向电压需控制在Vf额定值以内,防止击穿;
  3. 温度管理:工作结温不得超过150℃,需通过合理PCB布局(如增加散热铜箔)避免局部过热;
  4. 焊接工艺:SOD-323封装的焊接温度需符合安森美推荐的回流焊/波峰焊参数,避免高温损伤器件。

六、总结

SMMDL914T1G作为安森美推出的高速开关二极管,以低导通损耗、高速切换、宽温适应性小型化封装 为核心优势,精准适配中小功率高频电路、便携电子及工业控制等场景的需求。其参数一致性与可靠性经品牌验证,是电子系统设计中信号切换、箝位保护的可靠选择。