型号:

SI2301CDS

品牌:TECH PUBLIC(台舟电子)
封装:SOT-23-3
批次:-
包装:编带
重量:0.000033
其他:
-
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SI2301CDS 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) SI2301CDS SOT-23
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产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)12nC
输入电容(Ciss)405pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)75pF

SI2301CDS N沟道增强型MOSFET产品概述

一、产品基本定位与标识

SI2301CDS是台舟电子(TECH PUBLIC)推出的N沟道增强型场效应管(MOSFET),采用SOT-23-3贴片封装,属于低电压小功率器件范畴。该产品针对便携设备、小型电源等场景优化,兼顾小体积、低导通损耗与宽温适应性,是消费类电子及工业轻载控制的常用选型之一。

二、核心电性能参数解析

(一)漏源电压与电流承载能力

  • 最大漏源电压(Vdss):20V,满足低电压(≤20V)应用的绝缘要求,避免过压击穿风险;
  • 连续漏极电流(Id):3A(@25℃),支持持续负载电流达3A,脉冲电流能力可结合散热条件进一步提升;
  • 导通电阻(RDS(on)):110mΩ(@Vgs=4.5V),低导通电阻是核心优势,可显著降低导通损耗、减少发热。

(二)功耗与温度适应性

  • 最大耗散功率(Pd):1W(@25℃),在小封装下实现较高功率密度;
  • 工作温度范围:-55℃~+150℃,覆盖工业级宽温需求,可稳定工作于极端环境(如户外便携设备、低温工业场景)。

(三)开关特性与电容参数

  • 栅极电荷量(Qg):12nC,低栅极电荷意味着开关驱动电流小,易被MCU等低功率逻辑电路控制;
  • 输入电容(Ciss):405pF,反向传输电容(Crss)55pF,输出电容(Coss)75pF,电容参数匹配中速开关应用(如kHz级电源转换),兼顾开关损耗与速度平衡;
  • 阈值电压(Vgs(th)):1V(@Id=250uA),低阈值电压可被3.3V、5V逻辑电平直接驱动,无需额外驱动电路,简化设计。

三、封装与物理特性

SI2301CDS采用SOT-23-3贴片封装,尺寸约为1.6mm×1.0mm×0.9mm(长×宽×高),属于超小型贴片封装,适合高密度PCB布局(如便携设备内部紧凑空间)。引脚定义为:1脚栅极(G)、2脚漏极(D)、3脚源极(S),引脚间距符合标准SOT-23规范,便于自动化贴装。

四、典型应用场景

结合参数特性,SI2301CDS广泛应用于以下场景:

  1. 便携电子设备:智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手环等的电源管理(如负载开关、电池保护辅助);
  2. 小型DC-DC转换:5V/3A以下的同步降压/升压电路(作为同步整流管或开关管);
  3. 负载通断控制:低电压小功率负载(如LED驱动、小型电机)的通断开关;
  4. 工业轻载控制:-55℃~+150℃宽温环境下的低功率开关电路(如传感器信号控制);
  5. 消费类电子配件:移动电源、充电器的辅助开关(如输出通断控制)。

五、选型优势总结

  • 小体积高集成:SOT-23-3封装适合紧凑设计,不占用额外PCB空间;
  • 低损耗易驱动:110mΩ低导通电阻+1V低阈值,兼顾效率与驱动便利性;
  • 宽温适应性:覆盖工业级温度范围,满足极端环境需求;
  • 成本可控:台舟电子量产化封装,性价比高,适合批量应用。

该器件参数均衡,适配多场景需求,是低电压小功率MOSFET选型的可靠选择。