型号:

DTC144EET1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-75,SOT-416
批次:-
包装:编带
重量:0.027g
其他:
-
DTC144EET1G 产品实物图片
DTC144EET1G 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SC-75(SOT-523)
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产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)80@5.0mA,10V
最小输入电压(VI(on))3V@2.0mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))800mV@100uA,5.0V
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTC144EET1G 数字晶体管产品概述

一、产品基本定位与核心优势

DTC144EET1G是安森美(ON)推出的预偏置NPN数字晶体管,属于小型化、低功耗的半导体器件。其核心优势在于内部集成预偏置电阻(输入电阻47kΩ、电阻比率1),无需额外配置外部偏置网络,可直接替代“传统NPN晶体管+偏置电阻”的组合,显著简化电路设计与PCB布局,尤其适合空间受限的小型电子设备。此外,该器件兼顾宽温适应性与低功耗特性,能满足多种场景的可靠性需求。

二、关键电气参数及实际意义

  1. 电压电流与功耗:集射极击穿电压(Vceo)达50V,覆盖中低压(30V以内)常见应用;集电极最大电流(Ic)100mA,可驱动小型负载(如小功率LED、微型继电器);耗散功率(Pd)200mW,属于低功耗器件,适配电池供电的便携设备,延长续航时间。
  2. 增益与开关特性:直流电流增益(hFE)典型值80(测试条件:Ic=5mA、Vce=10V),增益稳定一致性好;输入导通电压(VI(on))3V(Ic=2mA、Vce=0.3V),输入截止电压(VI(off))800mV(Ic=100μA、Vce=5V),开关特性明确,适合数字逻辑电路的信号转换与驱动。
  3. 内部偏置电阻:集成47kΩ输入电阻且电阻比率1,偏置网络匹配性好,避免外部电阻选型不当导致的增益波动或功耗增加,降低设计调试难度。

三、封装形式与环境兼容性

该器件采用SC-75(SOT-523)SOT-416 两种小型贴片封装,尺寸紧凑(SC-75封装约1.6×1.0×0.8mm),适合高密度PCB设计,常见于手机、可穿戴设备、小型家电等对空间要求严格的产品。
工作温度范围覆盖**-55℃至+150℃**,属于工业级温度标准,可适应极端环境(如户外设备、汽车电子辅助电路、工业控制模块),长期工作可靠性有保障。

四、典型应用场景解析

  1. 数字逻辑电路:作为开关管用于电平转换、信号放大,适配3V/5V逻辑系统,比如单片机IO口的负载驱动(替代外部电阻+晶体管)。
  2. 小型负载驱动:驱动100mA以内的负载,如LED指示灯、微型直流电机、小型继电器线圈,无需额外功率管扩展。
  3. 便携电子设备:智能手环、蓝牙耳机等电池供电产品,低功耗特性延长续航,小封装节省内部空间。
  4. 工业控制辅助电路:工业传感器的信号放大、小型执行器的驱动,宽温范围适应车间环境(-20℃至+85℃常见)。

五、品牌与可靠性说明

DTC144EET1G由安森美(ON Semiconductor)生产,该品牌是全球知名半导体厂商,产品符合RoHS、REACH等环保标准,且经过严格可靠性测试(温度循环、湿度老化等),参数一致性好,适合批量生产。其预偏置设计已在消费电子、工业领域广泛验证,可降低电路设计风险与生产成本。

该器件凭借“小封装、低功耗、预偏置简化设计”的特点,成为小型电子设备中信号处理与负载驱动的优选器件。