型号:

SS58B

品牌:晶导微电子
封装:SMB
批次:-
包装:编带
重量:0.21g
其他:
-
SS58B 产品实物图片
SS58B 一小时发货
描述:肖特基二极管 独立式 850mV@5A 80V 5A SMB
库存数量
库存:
6000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.189
3000+
0.167
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)850mV@5A
直流反向耐压(Vr)80V
整流电流5A
反向电流(Ir)300uA@80V
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A

SS58B肖特基二极管产品概述

SS58B是晶导微电子推出的一款独立式肖特基整流二极管,采用SMB表面贴装封装,凭借低正向压降、宽结温范围、高浪涌承受能力等核心特性,成为低压高频整流、小型化电源设计的优选器件之一。

一、产品基本定位

SS58B属于肖特基势垒二极管(SBD)范畴,区别于普通硅整流二极管,其通过金属-半导体接触形成势垒,具有正向压降低、开关速度快的特点。产品以5A额定整流电流、80V反向耐压为核心参数,适配多类中低功率电源及电子设备的整流/续流场景,满足消费电子、车载、工业控制等领域的可靠性需求。

二、核心电气参数详解

SS58B的关键参数明确且针对性强,具体如下:

参数类型 具体数值 说明 正向压降(Vf) 850mV @ 5A 额定工作电流下的导通压降,远低于硅整流管(≥1V) 直流反向耐压(Vr) 80V 连续反向工作时的最大承受电压 额定整流电流(If) 5A(直流) 连续导通时的最大电流 反向漏电流(Ir) 300μA @ 80V 额定反向电压下的漏电流,数值稳定 工作结温范围 -55℃ ~ +150℃ 工业级宽温范围,适应极端环境 非重复浪涌电流(Ifsm) 150A(8.3ms半波) 短时间(单次)承受的峰值浪涌电流 封装类型 SMB(DO-214AA) 表面贴装,体积小(2.9×5.0×2.4mm)

三、关键性能优势

SS58B的性能优势直接匹配其应用场景需求:

  1. 低导通损耗:850mV@5A的正向压降,可显著降低整流级的功率损耗,提升电源转换效率(尤其在低压输出场景,效率提升更明显);
  2. 宽温可靠性:-55℃+150℃的结温范围,覆盖车载(-40℃125℃)、户外设备(-20℃~85℃)等极端温度场景,无需额外降额;
  3. 抗浪涌能力强:150A非重复浪涌电流,可有效应对开机瞬间、负载突变等峰值电流冲击,减少器件损坏风险;
  4. 小体积适配:SMB封装体积紧凑,适合手机充电器、路由器、LED驱动等小型化设备的PCB布局,支持自动化贴装;
  5. 稳定反向特性:300μA的反向漏电流在额定电压下保持稳定,避免反向功耗累积,提升长期工作可靠性。

四、典型应用场景

SS58B的参数特性使其适配多类场景:

  • 消费电子电源:手机充电器、笔记本适配器、机顶盒、路由器的低压整流级;
  • 车载电子:车载导航、行车记录仪、车载USB充电器的电源模块;
  • LED驱动电源:小功率LED灯串、灯带的整流/续流电路;
  • 工业控制:小型PLC、传感器模块、电机驱动的辅助电源;
  • 通信设备:基站附属模块、无线AP的低功耗电源设计。

五、选型与使用注意事项

  1. 选型匹配:需根据实际电路的最大工作电流(≤5A)、反向峰值电压(≤80V) 选型,若电流/电压超出需选择更高规格型号(如SS108B);
  2. 散热考量:虽然正向压降低,但5A连续工作时仍需注意PCB散热(可通过增加铜箔面积、贴散热片等方式),避免结温超过150℃;
  3. 浪涌限制:非重复浪涌电流(150A)仅适用于单次冲击(8.3ms半波),不可连续承受,需配合保险丝等防护元件;
  4. 环保要求:产品符合RoHS无铅标准,适配绿色电子设计需求。

六、总结

SS58B是一款性能均衡、成本可控的肖特基整流二极管,以低损耗、宽温、高可靠为核心亮点,覆盖多类中低功率电子设备的整流场景。晶导微电子的成熟制造工艺确保了产品一致性,SMB封装则满足了小型化设计趋势,是工程师在电源方案选型中的实用选择。