型号:

LMBT3904N3T5G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-883
批次:26+
包装:-
重量:0.009g
其他:
-
LMBT3904N3T5G 产品实物图片
LMBT3904N3T5G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 40V 200mA NPN SOT-883-3
库存数量
库存:
10000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0983
10000+
0.0806
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)300
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

LMBT3904N3T5G 产品概述

LMBT3904N3T5G 是一款由乐山无线电(LRC)生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-883封装。该器件设计用于低功率、高频率的放大和开关应用,具有优异的电气性能和可靠性,适用于广泛的电子设备中。

主要特性

  1. 高特征频率(fT):300MHz的高特征频率使得LMBT3904N3T5G非常适合高频应用,如射频放大器和振荡器。
  2. 高直流电流增益(hFE):在0.1mA的集电极电流和1.0V的集射极电压下,直流电流增益为40,确保了良好的信号放大能力。
  3. 低集射极饱和电压(VCE(sat)):在10mA的集电极电流和1.0mA的基极电流下,集射极饱和电压仅为200mV,有助于降低功耗和提高效率。
  4. 高集射极击穿电压(Vceo):40V的集射极击穿电压提供了足够的电压裕量,适用于多种电路设计。
  5. 低集电极截止电流(Icbo):50nA的低集电极截止电流减少了漏电流,提高了器件的稳定性和可靠性。
  6. 宽工作温度范围:-55℃至150℃的工作温度范围使得LMBT3904N3T5G能够在极端环境下稳定工作。

应用领域

LMBT3904N3T5G广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  1. 射频放大器:由于其高特征频率和良好的增益特性,LMBT3904N3T5G非常适合用于射频放大器中,提供稳定的信号放大。
  2. 振荡器:在高频振荡器电路中,LMBT3904N3T5G能够提供可靠的振荡信号,适用于通信设备和射频识别(RFID)系统。
  3. 开关电路:低集射极饱和电压和高集射极击穿电压使得LMBT3904N3T5G成为开关电路中的理想选择,适用于电源管理和逻辑控制电路。
  4. 音频放大器:在低功率音频放大器中,LMBT3904N3T5G能够提供清晰的音频信号放大,适用于便携式音频设备和耳机放大器。
  5. 传感器接口:由于其低集电极截止电流和高直流电流增益,LMBT3904N3T5G可用于传感器接口电路,提供稳定的信号处理。

封装与尺寸

LMBT3904N3T5G采用SOT-883封装,这是一种超小型表面贴装封装,尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.5mm。这种紧凑的封装设计使得LMBT3904N3T5G非常适合空间受限的应用,如便携式电子设备和微型传感器模块。

电气参数

  • 功率耗散(Pd):250mW
  • 集电极电流(Ic):200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo):40V
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):200mV @ 10mA, 1.0mA
  • 集电极截止电流(Icbo):50nA
  • 直流电流增益(hFE):40 @ 0.1mA, 1.0V
  • 特征频率(fT):300MHz

可靠性与环境适应性

LMBT3904N3T5G经过严格的质量控制和可靠性测试,确保在各种环境条件下都能稳定工作。其宽工作温度范围(-55℃至150℃)使得它能够在极端温度环境下保持性能,适用于工业、汽车和军事应用。

总结

LMBT3904N3T5G是一款高性能的NPN型双极结型晶体管,具有高特征频率、高直流电流增益、低集射极饱和电压和高集射极击穿电压等优异特性。其紧凑的SOT-883封装和宽工作温度范围使得它非常适合用于高频放大、开关电路、音频放大和传感器接口等多种应用。无论是便携式电子设备还是工业控制系统,LMBT3904N3T5G都能提供可靠的性能和高效的解决方案。