型号:

CBW100505U121T

品牌:FH(风华)
封装:未知
批次:26+
包装:编带
重量:0.000022
其他:
-
CBW100505U121T 产品实物图片
CBW100505U121T 一小时发货
描述:磁珠 120Ω@100MHz 250mΩ ±25% 450mA 0402
库存数量
库存:
20000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.013
10000+
0.00963
产品参数
属性参数值
阻抗@频率120Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)250mΩ
额定电流700mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

CBW100505U121T磁珠产品概述

CBW100505U121T是风华电子(FH)推出的0402封装片式铁氧体磁珠,专为高频电磁干扰(EMI)抑制设计,具备宽温适应性、低直流损耗等特点,广泛适用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域的信号与电源滤波场景。

一、产品基本属性

  • 品牌:风华电子(FH)
  • 产品类型:片式磁珠
  • 型号:CBW100505U121T
  • 通道数:单通道(1路)
  • 封装形式:0402(英制,对应公制1005,型号中“100505”即封装尺寸标识)

二、核心电气参数详解

磁珠性能核心围绕阻抗特性、直流电阻(DCR)、额定电流三大参数,CBW100505U121T的设计针对性极强:

2.1 阻抗特性

  • 典型阻抗:120Ω @ 100MHz(测试频率为100MHz,匹配常见高频干扰的典型频段)
  • 阻抗误差:±25%(满足工业级产品通用精度要求,适配不同电路的干扰抑制需求)
  • 特性说明:磁珠阻抗随频率呈“先升后降”趋势,100MHz是其阻抗峰值附近的测试点,对100MHz左右的共模/差模干扰抑制效果显著。

2.2 直流电阻(DCR)

  • 典型值:250mΩ(毫欧级低损耗)
  • 优势:低DCR可大幅降低直流信号的压降损耗,避免影响电路直流偏置或电源效率,尤其适合低功耗电路。

2.3 电流容量

  • 额定连续工作电流:700mA(基础参数明确)
  • 饱和电流:约450mA(部分资料标注,需注意脉冲电流限制)
  • 注意:连续工作电流需≤700mA,脉冲电流峰值需≤450mA,避免磁珠饱和导致阻抗下降、干扰抑制失效。

三、封装与物理特性

CBW100505U121T采用0402封装(尺寸约1.0mm×0.5mm×0.5mm),具备以下物理优势:

  1. 体积小巧:适配高密度PCB设计,可在有限空间内实现多路干扰抑制;
  2. 表面贴装工艺:兼容标准SMT生产线,焊接可靠性高,适合自动化批量生产;
  3. 无引线设计:减少寄生电感,进一步提升高频干扰抑制性能。

四、适用场景与应用优势

4.1 典型应用场景

  • 电源滤波:抑制开关电源(如DC-DC转换器)产生的100MHz左右高频噪声,提升电源纹波纯度;
  • 信号线路滤波:高速数字信号(SPI、I2C、USB)的EMI抑制,避免信号串扰;
  • 射频电路辅助滤波:配合天线、功放等射频器件抑制杂散干扰,提升射频性能;
  • 工业/汽车电子:宽温范围适配车载、工业控制等 harsh环境的干扰抑制需求。

4.2 核心应用优势

  • 宽温稳定:工作温度覆盖-55℃~+125℃,满足极端环境下的性能一致性;
  • 低损耗:250mΩ DCR降低直流损耗,不影响电路效率;
  • 针对性干扰抑制:120Ω@100MHz阻抗精准匹配常见高频干扰频段,抑制效果明确。

五、选型与使用注意事项

  1. 阻抗匹配:需根据实际干扰频率选择对应阻抗磁珠,若干扰频率偏离100MHz,需参考风华磁珠的频率-阻抗曲线调整选型;
  2. 电流限制:连续电流≤700mA,脉冲电流峰值≤450mA,避免磁珠饱和;
  3. 焊接工艺:采用标准回流焊(峰值温度≤260℃),避免高温损坏磁珠性能;
  4. 布局建议:磁珠尽可能靠近干扰源或敏感器件,减少干扰路径长度,提升抑制效果。

六、可靠性与认证

CBW100505U121T符合RoHS环保标准,具备良好的耐温、耐湿性能,可通过振动、冲击等可靠性测试,满足工业级产品质量要求。

总结:CBW100505U121T是一款性能均衡的0402封装磁珠,以120Ω@100MHz阻抗为核心优势,结合低DCR、宽温特性,是高频干扰抑制场景的高性价比选择。