型号:

CBW201209U800T

品牌:FH(风华)
封装:未知
批次:26+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CBW201209U800T 产品实物图片
CBW201209U800T 一小时发货
描述:磁珠 80Ω@100MHz 80mΩ ±25% 2.5A 0805
库存数量
库存:
8000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0455
4000+
0.0362
产品参数
属性参数值
阻抗@频率80Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)60mΩ
额定电流3A
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

CBW201209U800T 风华贴片磁珠产品概述

CBW201209U800T是风华(FH)品牌推出的一款中高频EMI抑制专用贴片磁珠,核心针对100MHz频段的干扰信号衰减,兼具宽温可靠性与低损耗特性,适配消费电子、汽车电子、工业控制等多场景需求。以下从核心定位、参数详解、设计特点、应用案例及使用注意事项展开概述。

一、产品核心定位与应用场景

该磁珠属于窄带干扰抑制器件,设计聚焦100MHz左右的电磁干扰(如射频杂波、开关电源噪声),同时兼顾直流偏置能力与极端环境适应性,主要应用于三类场景:

  1. 消费电子终端:智能手机、平板电脑、智能穿戴的主板电源/射频线路,抑制信号串扰;
  2. 汽车电子系统:车载导航、仪表盘、车身控制器的电源滤波,适配-55℃~+125℃宽温;
  3. 工业控制设备:PLC、传感器模块、工业电源的干扰过滤,保障信号传输稳定性。

二、关键电气与物理参数详解

2.1 电气核心参数

  • 阻抗特性:80Ω@100MHz,误差±25%——在100MHz频段具备明确阻抗峰值,是选型的核心参考(偏离该频段滤波能力下降);
  • 直流电阻(DCR):60mΩ(基础参数)/80mΩ(描述参考)——低电阻设计减少自身功率损耗,降低发热风险;
  • 额定电流:3A(基础参数)/2.5A(描述参考)——可承受最大直流偏置,建议降额80%使用(避免长期过流);
  • 工作温度范围:-55℃~+125℃——满足汽车电子、工业设备的极端环境要求,宽温下性能无漂移。

2.2 物理与封装参数

  • 封装规格:0805(公制2012)——贴片式封装(尺寸2.0mm×1.2mm×0.9mm,“09”为高度参数),适配自动化贴装;
  • 通道数:1——单通道设计,支持单线路独立滤波,安装灵活。

三、封装与可靠性设计特点

  1. 高性能铁氧体材料:采用风华自研低损耗铁氧体,宽温下阻抗特性稳定,避免高温磁导率下降;
  2. 焊接可靠性:符合RoHS标准,焊盘优化,回流焊无虚焊风险,适配无铅工艺;
  3. 机械强度:封装紧凑,抗振动/冲击能力满足汽车电子(ISO 16750)及工业设备要求。

四、典型应用案例

4.1 智能手机主板电源滤波

串联于CPU供电线路,利用80Ω@100MHz阻抗衰减开关电源杂波,避免干扰射频信号;低DCR(60mΩ)减少电源损耗,延长电池续航。

4.2 车载仪表盘电源模块

适配-55℃~+125℃宽温,过滤汽车点火/发动机产生的电磁干扰,保障显示屏无闪烁、按键响应稳定。

4.3 工业PLC信号滤波

并联于模拟量输入线路,过滤工业现场电机/变频器杂波,提升信号采集精度。

五、选型与使用注意事项

  1. 频段匹配:仅适用于100MHz左右干扰,偏离需换对应阻抗磁珠(如10MHz选低阻抗、500MHz选高阻抗);
  2. 电流降额:实际电流不超额定80%(2.4A/2A),避免铁氧体饱和;
  3. 焊接工艺:回流焊温度220℃~245℃(≤30s),禁止手工焊超300℃;
  4. 环境适配:避免强磁场环境,超温需换宽温磁珠。

综上,CBW201209U800T凭借精准的100MHz阻抗、宽温适应性与低损耗,成为多领域常用EMI抑制器件,选型需结合干扰频段、电流及环境综合判断。