型号:

HESDNC5VB1CL-A

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:0.026g
其他:
-
HESDNC5VB1CL-A 产品实物图片
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0.0864
3000+
0.0686
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压18.6V
峰值脉冲电流(Ipp)9A
峰值脉冲功率(Ppp)90W@8/20us
击穿电压7.8V
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容15pF

HESDNC5VB1CL-A 双向ESD防护器件产品概述

HESDNC5VB1CL-A是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的单路双向ESD防护器件,专为敏感电子电路的静电放电(ESD)和电快速瞬变脉冲群(EFT)干扰防护设计,兼具低结电容、高瞬态耐受能力与宽温适应性,可满足消费电子、汽车电子、工业控制等多领域的防护需求。

一、产品定位与核心价值

本器件定位于高速信号链路的瞬态干扰防护,核心价值在于平衡「低电容信号完整性」与「高能量脉冲防护」——既不会因电容过高影响USB、HDMI等高速接口的信号传输,又能有效泄放静电或EFT带来的强瞬态能量,避免后端IC因过压损坏。其双向防护特性无需区分电路极性,进一步简化了PCB布局设计,降低了电路设计复杂度。

二、关键参数深度解析

1. 防护阈值与导通特性

  • 反向截止电压(Vrwm)5V:正常工作时漏电流仅1uA,不干扰电路静态功耗,适配3.3V/5V等常见电源系统;
  • 击穿电压7.8V:瞬态电压超过该值时,器件快速从截止态转为导通态;
  • 钳位电压18.6V:远低于多数敏感IC的耐压上限(如3.3V系统典型耐压20V),有效抑制过压冲击。

2. 瞬态耐受能力

  • 峰值脉冲电流(Ipp)9A(8/20μs波形)、峰值脉冲功率(Ppp)90W:可承受IEC 61000-4-2标准下的强ESD脉冲(接触放电8kV、空气放电15kV),以及IEC 61000-4-4标准下的EFT干扰(4kV/5kHz),覆盖日常使用中常见的静电冲击与电磁干扰。

3. 信号兼容性

  • 结电容(Cj)15pF:属于低电容ESD器件范畴,对100Mbps以上的高速数字信号(如USB 2.0、HDMI 1.4)的传输延迟、串扰影响极小,适配高速接口的信号完整性要求。

4. 环境适应性

  • 工作温度范围-40℃~+125℃:满足工业级与汽车级的宽温需求,可在户外、高温车间等严苛环境下稳定工作。

三、防护性能优势

1. 双标准兼容

同时符合IEC 61000-4-2(ESD)与IEC 61000-4-4(EFT)国际防护标准,覆盖电子设备常见的瞬态干扰场景,无需额外设计多重防护,降低系统成本。

2. 快速响应

击穿电压稳定,触发时间处于ns级(典型值<1ns),能在静电脉冲到达后端IC前快速导通泄放能量,将过压冲击降至最低,避免器件损坏。

3. 小体积高集成

采用SOD-523超小型表面贴装封装,尺寸仅约0.8mm×0.6mm×0.4mm,节省PCB空间,适配智能手机、智能穿戴等便携式设备的高密度布局。

四、典型应用场景

  1. 消费电子:智能手机、平板电脑、笔记本电脑的USB Type-C、HDMI、音频接口ESD防护;智能手表、耳机等穿戴设备的充电/传感器接口防护;
  2. 汽车电子:车载信息娱乐系统(IVI)的USB、蓝牙接口防护;汽车摄像头、胎压监测传感器的信号接口瞬态干扰防护(符合汽车级宽温要求);
  3. 工业控制:PLC可编程逻辑控制器的I/O接口防护;工业传感器、RS485通信模块的ESD/EFT防护;
  4. 通信设备:路由器、交换机的以太网接口、光纤收发器接口的高速信号防护。

五、品牌与品质保障

华轩阳电子专注功率器件与防护器件研发生产近10年,HESDNC5VB1CL-A通过了严格的可靠性测试(温度循环、湿度老化、ESD重复冲击等),批量生产参数一致性好(离散性控制在±5%以内),符合RoHS环保指令要求,可放心用于各类电子产品设计。

本器件以「高性能、小体积、宽适配」为核心特点,是敏感电子电路瞬态干扰防护的高性价比选择。