型号:

S-LMBT4403LT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
S-LMBT4403LT1G 产品实物图片
S-LMBT4403LT1G 一小时发货
描述:普通双极型晶体管(BJT) PNP -40V -600mA 30-300
库存数量
库存:
3000
(起订量: 3000, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0768
3000+
0.061
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)300mW
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))750mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

S-LMBT4403LT1G PNP型双极晶体管产品概述

一、产品核心身份与定位

S-LMBT4403LT1G是乐山无线电(LRC) 推出的普通双极型PNP晶体管,属于中小功率通用型器件,主打低中压电路的放大与开关场景。作为贴片封装替代方案,其设计兼顾小型化、可靠性与成本优势,可直接兼容同参数的传统插件晶体管(如2N4403),广泛覆盖消费电子、工业控制、车载电子等领域。

二、关键电参数深度解析

该晶体管的核心参数精准匹配中小功率场景需求,关键指标如下:

  1. 电压与电流耐受能力
    集射极击穿电压(Vceo)达40V,可稳定工作在40V以内的低中压电路;最大集电极电流(Ic)为600mA,覆盖中小功率开关与放大的电流范围;射基极击穿电压(Vebo)为5V,需注意基极-发射极偏置电压不超过5V,避免反向击穿。
  2. 功率与饱和特性
    最大耗散功率(Pd)300mW,无额外散热时可满足低功耗应用需求;集射极饱和电压(VCE(sat))仅750mV(在500mA集电极电流下),即使在50mA小电流场景下仍保持低饱和压降,开关导通损耗小,适合高频开关应用。
  3. 频率与截止特性
    特征频率(fT)200MHz,说明在200MHz以下频段具有良好的放大能力,可用于音频前置放大、中高频信号放大等场景;集电极截止电流(Icbo)仅100nA,漏电流极小,低功耗待机场景下性能稳定。
  4. 宽温适应性
    工作温度范围覆盖-55℃~+150℃,远超普通民用器件的温度上限,可适应工业环境的低温启动、车载电子的高温工作等恶劣场景。

三、封装与可靠性设计

S-LMBT4403LT1G采用SOT-23小型贴片封装(后缀“LT1G”对应该封装),尺寸仅约2.9×1.6×1.1mm,适合高密度PCB布局,尤其适合小型化产品(如蓝牙耳机、智能穿戴)。封装符合RoHS无铅环保标准,焊接可靠性高,抗机械应力能力强,可通过回流焊、波峰焊等主流工艺加工。

四、典型应用场景

结合参数特点,该晶体管的核心应用场景包括:

  1. 中小功率开关控制:如LED小灯驱动、小型继电器触发、电池供电设备的电源开关(低饱和压降降低导通损耗);
  2. 中高频信号放大:音频前置放大(覆盖20Hz~20kHz音频频段)、射频信号放大的辅助级(200MHz特征频率满足需求);
  3. 低功耗电路设计:智能传感器信号放大、便携式设备的待机电路(Icbo小减少漏电流);
  4. 工业与车载电子:车载仪表盘信号处理、工业传感器接口电路(宽温范围适配恶劣环境)。

五、品牌与品质保障

乐山无线电(LRC)是国内半导体行业的老牌厂商,产品符合IEC、JEDEC等国际标准,S-LMBT4403LT1G经过严格的可靠性测试(温度循环、湿度老化、焊接可靠性测试等),一致性好,批量生产稳定性高。作为进口同参数器件的替代方案,其性价比优势明显,适合中小批量到大规模生产应用。