1N5819G（ON）肖特基二极管 产品概述

一、简介

1N5819G 为 ON（安森美）出品的肖特基整流二极管，采用 DO-41 轴向封装，适合通孔安装与手工、波峰或回流焊接后的系统拼装。该器件针对低压快速整流场合设计，兼顾低正向压降与较高浪涌承受能力，常用于电源管理与保护电路。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：600 mV @ 1 A
• 额定整流电流：1 A（持续直流）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：25 A（单次浪涌）
• 直流反向耐压（Vr）：40 V
• 反向电流（Ir）：1 mA @ 40 V（随温度升高会增加）
• 结温工作范围：-65 ℃ 至 +125 ℃
• 封装：DO-41（轴向）

三、特点与优势

• 低正向压降：在导通时功耗低，有利于提高整流效率并减少发热。
• 快速响应：肖特基结构无明显反向恢复，适合开关电源与高频整流。
• 良好浪涌承受：25 A 的单次浪涌能力能应对短时启动、电容充电等瞬态电流。
• 宽温度范围：可在-65 ℃ 至 +125 ℃的结温条件下长期工作，适应工业级环境。

四、典型应用

• 开关电源二次整流与同步整流替代件
• 反向电源保护、极性保护二极管
• 汽车电子、仪器仪表的低压整流与钳位
• 电池充放电路径、太阳能小功率整流

五、使用注意事项与封装

• 反向漏流随温度显著上升，热设计时需考虑高温下的漏电与功耗。
• Ifsm 为非重复峰值浪涌，频繁或重复的浪涌应避免，以免缩短器件寿命。
• DO-41 为通孔轴向封装，通过加大 PCB 铜箔或散热片可改善热耗散。器件极性由管体标记（阴极）识别。
• 在高频或高电压应⽤中，如有尖峰需配合抑制元件（TVS、RC 抑制网络）保护器件。

六、选型建议

若应用要求持续电流约 1 A、开关频率较高且需低压降，1N5819G 为经济且可靠的选择。若工作环境温度偏高或需更低的漏电与更高的耐压，应考虑更大额定电流或更高 Vr、低 Ir 的肖特基器件。设计时应同时核对电路的峰值浪涌、散热条件与寿命需求，必要时在实测条件下验证器件表现。