型号:

TMK325B7226MMHP

品牌:TAIYO YUDEN(太诱)
封装:1210(3225 公制)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TMK325B7226MMHP 产品实物图片
TMK325B7226MMHP 一小时发货
描述:22µF-±20%-25V-陶瓷电容器-X7R-1210(3225-公制)
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.671
1000+
0.618
产品参数
属性参数值
容值22uF
精度±20%
额定电压25V
温度系数X7R

TAIYO YUDEN TMK325B7226MMHP 多层陶瓷电容器产品概述

一、产品基本信息

TMK325B7226MMHP是日本太诱(TAIYO YUDEN)推出的通用型多层陶瓷电容器(MLCC),采用X7R介质材料,针对表面贴装(SMD)场景设计,封装代码为英制1210(对应公制3225)。该型号广泛适用于电源滤波、信号耦合等电子电路,是工业控制、消费电子等领域的常用器件。

型号命名遵循太诱行业标准:

  • “325”:公制封装尺寸3225(长3.2mm×宽2.5mm);
  • “7226”:容值编码,对应22μF(22×10⁶ pF);
  • “X7R”:介质特性(-55℃~+125℃,容值变化±15%以内);
  • 后缀“MMHP”:无铅端电极(Ni/Cu/Sn三层结构)、可靠性等级标识。

二、核心技术参数详解

该型号关键参数符合太诱MLCC工业标准,具体如下:

参数项 规格值 备注 标称容值 22μF 单位:微法(μF) 容值精度 ±20% 室温(25℃)下偏差范围 额定直流电压(VR) 25V DC 最大工作直流电压 介质类型/温度系数 X7R 工作温度-55℃~+125℃,容值变化≤±15% 封装尺寸 英制1210/公制3225 长3.2±0.2mm×宽2.5±0.2mm×厚2.0±0.2mm 端电极结构 三层电极(Ni/Cu/Sn) 无铅环保,符合RoHS指令 等效串联电阻(ESR) ≤10mΩ(1kHz) 高频损耗低,适合信号电路

三、关键特性与优势

  1. 宽温容值稳定性
    X7R介质的核心优势是宽温度范围内容值变化极小(-55℃~+125℃内≤±15%),相比Y5V等低稳定介质,更适合对容值精度要求高的场景(如电源输出滤波、射频耦合)。

  2. 高容值密度
    1210封装实现22μF/25V的容值,相比同封装低容值型号,节省PCB空间30%以上,适配便携式设备(如智能手机、平板)的紧凑布局。

  3. 低损耗与高可靠性
    多层陶瓷结构的ESR低,高频损耗小;太诱成熟叠层工艺确保抗振动、耐冲击性能(符合IEC 60068-2-6标准),额定条件下寿命可达10⁶小时以上。

  4. 无极性与安装便捷
    陶瓷电容无正负极性,安装无需区分方向,降低生产误操作风险;表面贴装设计兼容回流焊、波峰焊,适配自动化生产。

四、典型应用场景

该型号因宽温稳定、高容值密度的特性,广泛应用于以下领域:

  1. 电源系统滤波
    开关电源、DC-DC转换器的输出滤波电容,抑制电压纹波提升效率;车载电源、工业电源的宽温环境适配性突出。

  2. 数字/射频电路
    数字电路电源去耦(如CPU、FPGA周边)、射频电路信号耦合(如蓝牙、WiFi模块),低损耗不影响信号完整性。

  3. 工业控制设备
    工业PLC、伺服驱动器控制板电容,适应-40℃~+85℃工业环境,长期稳定运行。

  4. 消费电子终端
    智能手机、笔记本电脑电源管理模块(PMIC),小封装满足轻薄化设计需求。

五、环境适应性与合规性

  1. 耐环境性能

    • 耐湿性:符合IEC 60068-2-67(湿热试验),95%RH环境下长期工作;
    • 耐振动:10~2000Hz振动频率,2g加速度,满足运输及现场振动要求;
    • 温度冲击:-55℃~+125℃循环冲击50次,容值变化≤±5%。
  2. 合规性认证
    无铅环保(RoHS 2.0)、符合REACH指令,端电极不含铅、镉等有害物质,适配全球市场准入。

六、封装与尺寸细节

该型号为表面贴装无引脚(Chip)封装,具体尺寸参数(参考太诱官方 datasheet):

  • 长度(L):3.2±0.2mm;
  • 宽度(W):2.5±0.2mm;
  • 厚度(T):2.0±0.2mm;
  • 端电极宽度(E):0.3±0.1mm(两侧);
  • 焊盘适配:标准1210封装焊盘(3.5mm×2.7mm)。

端电极三层结构(Ni/Cu/Sn)确保焊接可靠性及抗氧化性,适合回流焊温度曲线(220℃~260℃峰值)。

该型号综合性能均衡,是电子设计中替代传统电解电容的理想选择,尤其适合对空间、温度稳定性要求较高的场景。