型号:

MBR5200_AY_10001

品牌:PANJIT(强茂)
封装:DO-201AD
批次:25+
包装:盒装
重量:-
其他:
-
MBR5200_AY_10001 产品实物图片
MBR5200_AY_10001 一小时发货
描述:肖特基二极管 900mV@5A 200V 5A DO-201AD
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1250+
0.499
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)900mV@5A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流5A
反向电流(Ir)50uA@200V
工作结温范围-65℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A

MBR5200_AY_10001肖特基二极管产品概述

一、产品定位与核心特性

MBR5200_AY_10001是PANJIT(强茂)推出的轴向引线肖特基整流二极管,专为5A级中等功率、200V级中低压整流场景设计。其核心优势聚焦三大维度:

  • 低导通损耗:900mV@5A的正向压降远低于传统硅整流管,可显著降低电源功耗;
  • 强浪涌耐受:150A非重复峰值浪涌电流,应对开机/负载突变等瞬态冲击;
  • 宽温可靠性:-65℃~+150℃工作结温,覆盖工业、车载等严苛环境。

相比同功率硅器件,该产品在效率提升、瞬态防护上具备明显竞争力,适配多领域电源系统需求。

二、关键电气参数详解

2.1 正向导通特性

在额定持续整流电流5A下,正向压降仅为900mV,属于同电压等级肖特基二极管的低损耗水平。

  • 实际功耗:5A负载下功耗仅4.5W(P=I×VF),相比1V压降的器件减少0.5W损耗,可缩小散热设计体积;
  • 效率提升:针对低压电源(如12V/24V),低VF可使整流效率提升约5%~8%。

2.2 反向耐压与漏电流

  • 直流反向耐压200V:满足多数中低压电源(如120V/240V输入电源)的反向截止需求;
  • 反向漏电流50μA@200V:低漏电流可避免反向导通损耗,提升电源待机效率(待机电流≤1mA时,漏电流占比<5%)。

2.3 浪涌与结温能力

  • 非重复峰值浪涌电流150A(8.3ms半波):可有效应对开机瞬间的大电流冲击,无需额外浪涌防护器件;
  • 工作结温-65℃~+150℃:覆盖工业级宽温(-40℃+85℃)、车载级环境(-20℃+100℃),长期工作可靠性稳定。

三、封装与可靠性设计

采用DO-201AD轴向封装,具备以下工程优势:

  1. 安装兼容性:轴向引线适配传统PCB通孔焊接,工艺成熟,无需特殊贴装设备;
  2. 散热性能:φ6.3mm×10.1mm封装尺寸搭配金属外壳,可通过焊接铝制散热片进一步提升散热效率(热阻约10℃/W),满足150℃结温下的长期工作;
  3. 环境适应性:封装材料抗潮湿、抗机械应力,通过工业级可靠性测试(温度循环:-55℃+150℃,1000次;振动:102000Hz,1.5g)。

四、典型应用场景

  1. 开关电源输出整流:适配5A级DC-DC转换器输出端,肖特基ns级恢复时间可降低开关损耗,提升高频电源效率(如200kHz~500kHz电源);
  2. 车载电子电源:宽温与浪涌能力满足车载12V/24V系统需求(如车载充电器、仪表盘电源);
  3. 工业控制电源:200V反向耐压适配PLC、传感器等低压直流供电,低损耗提升系统能效;
  4. LED驱动电源:低VF减少整流损耗,避免电源模块过热,提升LED驱动稳定性(如100W LED驱动);
  5. 消费电子充电模块:适配快充适配器辅助整流,应对5A级充电电流的导通需求。

五、选型与使用注意事项

  1. 电压降额:实际工作反向电压建议不超过160V(80%降额),避免过压击穿;
  2. 电流降额:持续负载电流建议不超过4A(80%降额),结合散热条件适当调整;
  3. 散热设计:需搭配散热片(如面积≥10cm²的铝片),保证结温≤150℃(结温=环境温度+功耗×热阻);
  4. 浪涌防护:虽具备150A浪涌能力,但长期频繁浪涌需并联TVS管(如SMBJ200CA),延长器件寿命;
  5. 温度影响:VF随温度每升高1℃约增加0.5mV,Ir随温度每升高10℃约增加2倍,选型时需考虑环境温度变化。

该产品凭借平衡的电气性能与可靠性,成为5A级中低压整流场景的高性价比选择,广泛适配工业、车载、消费电子等领域的电源系统设计。