型号:

B5817W

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:SOD-123
批次:-
包装:未知
重量:0.000031
其他:
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产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)450mV@1A
直流反向耐压(Vr)20V
整流电流1A
反向电流(Ir)1mA@20V
工作结温范围-65℃~+100℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)10A

B5817W 肖特基势垒整流二极管产品概述

B5817W是杰盛微(JSMSEMI)推出的独立式肖特基势垒整流二极管,针对低电压、中小功率整流场景优化设计,以低导通损耗、高浪涌耐受能力为核心特点,广泛适配消费电子、小型电源及工业控制等领域。

一、产品定位与品牌背景

杰盛微(JSMSEMI)作为专注功率半导体器件研发生产的厂商,其B系列肖特基二极管覆盖从0.5A到3A、20V到100V的电压电流范围,B5817W属于该系列中1A/20V的主流型号,定位中低端市场的常规整流需求,兼顾性能与成本优势,适合批量应用于对体积、效率有要求的电子设备。

二、核心电性能参数解析

B5817W的关键参数围绕“低损耗、高可靠性”设计,具体如下:

  1. 正向压降(Vf):450mV@1A(典型值)—— 肖特基二极管的核心优势之一,低导通压降可显著降低整流过程中的功率损耗,减少设备发热,提升效率(相比普通硅二极管1V左右的Vf,损耗降低约55%)。
  2. 直流反向耐压(Vr):20V—— 满足低压直流系统的反向耐压需求,可覆盖5V、12V等常见低压电源场景。
  3. 平均整流电流(If):1A—— 连续工作时可稳定承载1A电流,适配中小功率负载(如1A/5V电源适配器)。
  4. 反向漏电流(Ir):1mA@20V(最大值)—— 反向漏电流小,长期工作稳定性高,避免因漏电流导致的额外发热或误触发。
  5. 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):10A(8.3ms半波)—— 可承受瞬间大电流冲击(如电源开机时的电容充电浪涌),提升电路抗干扰能力。
  6. 工作结温范围:-65℃~+100℃—— 宽温适应性,可满足户外低温环境(如-40℃以下)或密闭空间高温环境(如设备内部散热不佳场景)的工作需求。

三、封装形式与物理特性

B5817W采用SOD-123表面贴装封装,该封装具有以下特点:

  • 体积紧凑:尺寸约为2.9mm×1.6mm×1.1mm,节省PCB布局空间,适合小型化电子设备(如USB充电器、蓝牙耳机充电盒);
  • 贴片式设计:适配自动化贴装生产线,提高生产效率,降低人工成本;
  • 散热性良好:封装引脚与PCB的接触面积合理,可有效导出1A电流工作时的热量,满足结温要求。 此外,器件为独立式配置,每个二极管单独封装,无并联/串联结构,便于电路布局的灵活性。

四、典型应用场景

B5817W的参数特性使其适配多个领域的常规整流需求:

  1. 低压电源整流:如5V/1A USB电源适配器、小型LED驱动电源(低Vf减少电源损耗,提升转换效率);
  2. 续流二极管:用于小型电机、继电器、电磁阀的续流保护(低Vf可快速释放电感能量,减少反向电压冲击);
  3. 电池保护电路:如锂电池组的反向放电保护(20V耐压满足多数低压电池的安全需求);
  4. 消费类电子:机顶盒、路由器、智能音箱等设备的电源输入整流模块(体积小、成本低);
  5. 工业控制小模块:传感器节点、小型PLC的辅助电源整流(宽温范围适应工业环境温度变化)。

五、可靠性与选型注意事项

5.1 可靠性优势

  • 宽工作结温范围:-65℃~+100℃,通过工业级温度测试;
  • 低反向漏电流:1mA@20V(最大值),长期工作无明显性能衰减;
  • 浪涌耐受能力:10A非重复浪涌电流,应对电路瞬间冲击。

5.2 选型参考

  • 替代型号:若需直插封装,可选用1N5817(参数接近:1A/20V、Vf≈500mV);若需贴片但电流更大,可选用SS130(1A/30V);
  • 注意事项:若工作电流超过1A(如峰值电流持续超过1A),需降额使用或选择更高电流等级的器件(如B5819:1A/40V);若耐压需求超过20V,需更换为更高耐压型号(如B5820:1A/60V)。

六、总结

B5817W作为杰盛微推出的1A/20V肖特基二极管,以低导通损耗、高浪涌耐受、宽温适应性及紧凑封装为核心优势,精准匹配低压中小功率整流场景的需求,是消费电子、小型电源及工业控制领域的高性价比选择。其参数稳定、可靠性高,适合批量应用于对成本与性能平衡要求较高的电子设备中。