型号:

PESD24VS2UT-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:0.000032
其他:
-
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0.218
3000+
0.193
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压44V
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)300W@8/20us
击穿电压30V
反向电流(Ir)500nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容30pF

PESD24VS2UT-N 产品概述

一、产品定位与核心用途

PESD24VS2UT-N是伯恩半导体(BORN)推出的单向ESD防护器件,核心作用是为电子设备的信号线路、电源线路提供静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)及浪涌干扰的一体化防护,避免后端敏感元器件(如MCU、传感器、通信芯片等)因瞬态高压损坏。该器件适配消费电子、物联网、通信及工业控制等领域的小型化设计需求,是低成本、高可靠性的瞬态干扰防护解决方案。

二、关键性能参数解析

该器件的参数围绕“防护有效性”与“信号兼容性”平衡设计,核心指标解析如下:

  1. 极性与工作电压:单向防护设计,反向截止电压(Vrwm)为24V——正常工作时,反向施加电压≤24V时器件截止,不干扰信号;击穿电压30V,当电压超过30V时导通启动防护,避免后端器件击穿。
  2. 防护能力:峰值脉冲电流(Ipp)达6A(8/20μs波形,对应IEC 61000-4-5浪涌标准),峰值脉冲功率(Ppp)300W,可抑制强瞬态脉冲;钳位电压44V,导通后将浪涌电压钳位在44V以内,保护后端器件(多数敏感器件耐压远低于此值)。
  3. 信号兼容性:反向漏电流(Ir)仅500nA,低漏电流避免信号衰减或功耗增加;结电容(Cj)30pF,适合中等频率以下信号(如音频、低速数字信号、传感器数据),不影响信号完整性。
  4. 标准符合性:通过IEC 61000-4-2(ESD,接触放电±8kV/空气放电±15kV)、IEC 61000-4-4(EFT,±2kV/5kHz)、IEC 61000-4-5(浪涌,±2kV/1.2/50μs)三项核心电磁兼容标准,满足工业级与消费级设备抗干扰要求。

三、封装与典型应用场景

  1. 封装特点:采用SOT-23封装,尺寸仅约2.9×1.6×1.1mm,体积小、重量轻,可直接贴装PCB,适配高密度布线设计,满足电子设备“轻薄化”趋势。
  2. 典型应用
    • 消费电子:智能手机、平板的USB接口、音频接口、按键线路防护;
    • 物联网设备:传感器节点、低功耗网关的信号输入/输出端防护;
    • 通信领域:基站辅助控制线路、无线模块的射频辅助接口防护;
    • 工业控制:小型PLC、远程IO模块的数字输入/输出口防护(满足工业级抗干扰)。

四、产品优势与应用价值

  1. 全场景防护:同时覆盖ESD、EFT、浪涌三种瞬态干扰,无需额外搭配其他器件,简化电路设计;
  2. 低干扰信号:低漏电流+合适结电容,平衡防护与信号完整性,避免影响设备正常功能;
  3. 小型化适配:SOT-23封装适配便携设备与高密度PCB,符合当前电子设备空间限制;
  4. 高可靠性:伯恩半导体成熟工艺,参数一致性好,长期工作稳定性高,降低设备返修率;
  5. 成本可控:性价比高于同类进口器件,适合中低端至中端设备批量应用。

五、选型与使用注意事项

  1. 极性匹配:单向防护需注意线路极性,确保防护方向与干扰方向一致(通常并联于信号/电源线路,反向接干扰源);
  2. 频率适配:若应用于超高频信号(如GHz级射频),30pF结电容可能导致信号衰减,建议搭配低结电容器件(如Cj<1pF);
  3. 电压匹配:正常工作电压需≤24V(Vrwm),避免器件误导通;若系统电压高于24V,需选择更高Vrwm的防护器件。

PESD24VS2UT-N凭借平衡的防护性能、小型化封装及高性价比,成为各类小型电子设备瞬态干扰防护的常用选择。