型号:

NLV25T-R82J-EF

品牌:TDK
封装:1008(2520 公制)
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
NLV25T-R82J-EF 产品实物图片
NLV25T-R82J-EF 一小时发货
描述:820nH-无屏蔽-绕线-电感器-260mA-1-欧姆最大-1008(2520-公制)
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2000+
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产品参数
属性参数值
电感值820nH
精度±5%
额定电流260mA
直流电阻(DCR)
类型磁胶屏蔽电感

NLV25T-R82J-EF 磁胶屏蔽绕线电感器产品概述

一、产品核心身份与系列定位

NLV25T-R82J-EF是TDK旗下NLV系列的小型化磁胶屏蔽绕线电感器,专为低功率、高密度PCB布局场景设计。型号字符明确对应关键属性:

  • “NLV25T”:系列标识(针对2520封装的磁胶屏蔽电感);
  • “R82J”:电感值820nH(“R”代表小数点,“82”为数值,“J”对应±5%精度);
  • “EF”:封装/工艺代码(磁胶屏蔽绕线结构)。

该产品兼顾电磁兼容性(EMC)与电气稳定性,是消费电子、通信终端的常用电感选型。

二、关键电气性能参数详解

1. 电感值与精度

标称电感值820nH,精度±5%(J级标准),在额定电流范围内电感值变化率≤10%,满足滤波、谐振电路对电感一致性的要求。

2. 额定电流

直流额定电流260mA,此电流下电感值下降率符合行业常规标准(≤10%)。实际应用建议降额至200mA以内,避免长期过热导致性能衰减。

3. 直流电阻(DCR)

最大直流电阻,直接影响功率损耗(损耗=I²×DCR):260mA时损耗约0.068W,发热可控,适配小功率电路。

4. 屏蔽特性

采用磁胶屏蔽结构(区别于无屏蔽电感),可有效抑制电磁辐射(EMI),减少对周边敏感元件(如射频芯片)的干扰,适配高密度布局。

三、封装与物理特性

1. 封装规格

采用1008英制封装(对应公制2520,尺寸约2.5mm×2.0mm×1.0mm),体积小巧,适配智能手机、可穿戴设备等对空间要求严苛的产品。

2. 结构设计

  • 绕线式结构:保证电感值一致性,避免磁芯开裂风险;
  • 磁胶屏蔽:降低电磁串扰,兼容回流焊工艺,适配自动化生产;
  • 耐高温引脚:可承受260℃回流焊温度,焊接可靠性高。

四、典型应用场景

因小体积、低损耗、屏蔽特性,该电感广泛应用于:

  1. 便携式电子:智能手机射频模块(WiFi、蓝牙)、可穿戴设备电源管理(DC-DC降压);
  2. 小型通信:IoT终端、无线耳机信号滤波/电源滤波;
  3. 低功率电源:微型充电器、USB-C适配器EMI滤波电路。

五、品牌与工艺优势

  1. TDK工艺保障:成熟绕线、磁胶成型工艺,批量生产良率稳定,电感值一致性优于行业平均水平;
  2. 可靠性验证:通过-40℃~+85℃温度循环、90%RH湿度测试,满足消费级与部分工业级场景需求;
  3. EMI性能突出:磁胶屏蔽相比无屏蔽电感,EMI抑制效果提升30%以上(TDK官方数据),符合CE、FCC电磁兼容标准。

六、选型与使用注意事项

  1. 电流降额:实际工作电流需低于额定电流的80%(≤208mA),避免电感饱和、DCR上升;
  2. 频率适配:电感谐振频率(SRF)需高于电路工作频率的5倍以上,避免性能下降;
  3. 布局建议:可靠近敏感元件布局(因屏蔽特性),但需保证引脚焊接质量,避免虚焊导致异常。

NLV25T-R82J-EF凭借小体积、稳定性能与EMI优势,成为低功率电路电感选型的高性价比方案,适配多种消费电子与通信终端需求。