PD55015-E 产品概述

一、产品定位与核心属性

PD55015-E是意法半导体（ST）推出的N沟道LDMOS射频功率MOSFET，专为中等功率射频放大场景设计。器件采用PowerSO-10RF成形引线封装，兼顾射频性能与功率承载能力，核心定位为500MHz频段附近的线性功率放大应用，可满足工业无线通信、射频测试等领域的中等功率输出需求。

二、关键电气参数解析

1. 直流与功率核心参数

• 漏源击穿电压（Vdss）：40V
  是器件关断状态下允许的最大漏源电压，为电路电压波动提供安全裕量，避免过压损坏。
• 连续漏极电流（Id）：5A
  反映器件持续工作时的电流承载能力，支持中等功率输出，避免长时间大电流工作下的性能衰减。
• 最大耗散功率（Pd）：73W
  是器件在特定散热条件下的最大允许功耗，设计时需结合封装散热能力匹配PCB布局或散热片，确保稳定工作。

2. 射频与电容关键指标

• 射频性能（500MHz频段）：
  在12.5V偏置电压、150mA偏置电流条件下，可实现14dB增益与15W输出功率，线性度满足多数射频放大需求（如通信链路的信号放大）。
• 电容参数：
  • 输入电容（Ciss）：89pF，影响射频输入匹配与开关速度；
  • 反向传输电容（Crss）：6.5pF，较小值有助于降低非线性失真，提升信号质量；
  • 输出电容（Coss）：60pF，影响输出匹配网络设计与功率传输效率。

三、封装与物理特性

器件采用PowerSO-10RF成形引线封装，具有以下特点：

• 10引脚表面贴装设计：成形引线便于焊接操作，且适配射频系统的50Ω阻抗匹配需求；
• 散热优化：封装结构内置散热路径，配合73W功耗能力，适合中等功率应用场景；
• 紧凑尺寸：便于集成到小型射频模块（如工业无线模块、测试设备）中，节省PCB空间。

四、典型应用场景

PD55015-E的参数与性能匹配以下实际场景：

1. 工业无线通信：500MHz频段的ISM（工业、科学、医疗）应用，如无线数据传输、远程控制设备的功率放大；
2. 射频测试设备：信号发生器、功率放大器的功率级单元，提供稳定的中等功率输出；
3. 小型分布式天线系统（DAS）：室内覆盖的低功率放大模块，支持多设备信号覆盖；
4. RFID读写器：部分500MHz附近频段的高频RFID读写器功率放大环节，提升识别距离。

五、设计注意事项

1. 散热设计：因最大耗散功率73W，需在PCB上预留大面积散热焊盘，必要时加装小型铝制散热片，避免器件过热导致性能下降；
2. 偏置稳定性：12.5V偏置电压需采用稳压电路（如线性稳压器），150mA偏置电流需通过偏置电阻网络精确控制，确保射频性能稳定；
3. 射频匹配：输入输出需匹配到50Ω阻抗（射频系统通用标准），结合Ciss、Coss参数优化LC匹配网络，降低信号反射与失真。

六、产品优势总结

PD55015-E作为ST的中等功率RF LDMOS器件，平衡了功率能力（15W输出）、射频性能（14dB增益）与封装实用性，适合500MHz频段附近的线性功率放大需求，是工业无线通信、射频测试等领域的可靠选择。其LDMOS结构天然具备良好的线性度，可满足多数射频应用对信号失真的要求，同时ST的品牌可靠性为长期稳定工作提供保障。