MAX809M-HXY 产品概述

一、产品简介

MAX809M-HXY（华轩阳电子 HXY MOSFET 代号）是一款单电压监控与复位芯片，采用 SOT-23 小封装，面向对电源完整性和上电复位要求严格的嵌入式与电池供电系统。器件对单路电压进行检测，当被监控电压低于阈值时输出低电平复位（低电平有效），输出为开漏结构，需外接上拉电阻。

二、主要特点

• 工作电压范围：1.2V 至 5.5V，适配多种 MCU 与数字芯片电源档位。
• 监控阈值：4.38V（固定阈值型），适用于 5V 系统的欠压检测。
• 复位超时：典型 200ms，保证上电或电压恢复后有足够的复位保持时间以完成系统初始化。
• 输出类型：开漏（低电平有效），外部上拉至 VCC 或指定电平。
• 静态电流：典型 24µA，低功耗，适合电池供电应用。
• 单路监控，无手动复位按键与看门狗功能。
• 工作温度：-40℃ 至 +85℃。
• 封装：SOT-23，体积小，便于 PCB 布局。

三、功能行为概述

当被监控电压下降并低于 4.38V 阈值时，器件将输出主动低电平（开漏拉低），使系统进入复位状态。被监控电压恢复到阈值以上时，器件在内部定时（约 200ms）后释放复位输出，避免因瞬时波动造成误复位。开漏输出要求在系统侧加入上拉电阻以产生有效高电平。

四、典型应用场景

• MCU 上电与欠压检测（Brown‑out Protection）。
• 电池供电设备、电源管理模块。
• 工业控制与消费电子中需要稳定上电复位的数控单元。
• 电源序列与系统复位协调电路。

五、设计注意事项

• 由于输出为开漏，建议使用 10kΩ 左右的上拉电阻；若需要更快的上升沿可适当减小阻值，但会增加静态功耗。
• 在 VCC 端建议并联 0.1µF 陶瓷去耦电容，靠近器件引脚布置，以抑制瞬态噪声。
• 若系统对复位释放时间有特殊要求，可在系统层面通过外部电路延长复位保持时间。
• SOT-23 封装需注意焊接与散热工艺，若工作在高温或高负载环境，应做好热管理与 PCB 铜量设计。

六、规格摘要

• 型号：MAX809M-HXY（HXY MOSFET / 华轩阳电子）
• 监控路数：1 路
• 阈值电压：4.38V（低电平有效复位）
• 工作电压：1.2V ~ 5.5V
• 静态电流：24µA（典型）
• 复位超时：200ms（典型）
• 输出形式：开漏
• 封装：SOT-23
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃

本器件以其小封装、低静态电流与明确的 4.38V 欠压阈值，适合对 5V 类电源进行可靠复位保护的场合。选择与布局时请参照器件数据手册完成更详细的时序与电气设计验证。