型号:

CL21A226KQCLRNC

品牌:SAMSUNG(三星)
封装:0805(2012 公制)
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
CL21A226KQCLRNC 产品实物图片
CL21A226KQCLRNC 一小时发货
描述:22µF-±10%-6.3V-陶瓷电容器-X5R-0805(2012-公制)
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商品单价
梯度内地(含税)
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4000+
0.191
产品参数
属性参数值
容值22uF
精度±10%
额定电压6.3V
温度系数X5R

CL21A226KQCLRNC 产品概述

一、主要参数与封装

CL21A226KQCLRNC 为三星(SAMSUNG)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),标称电容 22µF,容差 ±10%,额定电压 6.3V,介质为 X5R,封装为 0805(2012 公制,约 2.0 × 1.25 mm)。该型号适合对体积与容值有较高要求的中小型电子产品。

二、性能特点

X5R 介质在 −55°C 至 +85°C 范围内温度特性良好,允许一定的容量变化,适用于旁路与去耦。该封装在体积受限的 PCB 上提供较高的体积效率。陶瓷电容 ESR 低、频率响应好,能有效抑制高频噪声和瞬态干扰。需要注意的是 X5R 存在 DC bias 与随时间老化现象,实测容量在施加直流偏压下会下降,设计时应预留裕量。

三、典型应用

适用于移动终端、平板、便携式电源管理、DC-DC 转换器输入/输出滤波、微处理器与射频芯片的去耦滤波,以及空间受限的汽车电子(非高温关键节点)等场合,尤其在对体积与高容值有要求的消费电子中应用广泛。

四、设计与选用注意事项

  1. 对关键电源滤波或高可靠性电路,建议考虑电压降容、并联多只或使用更高额定电压的器件以抵消 DC bias 影响。
  2. 布局时靠近噪声源与器件电源引脚放置,以缩短寄生电感路径。
  3. 避免放置在 PCB 弯折区域或靠近板边,以降低机械应力导致的裂纹风险。

五、制造与焊接建议

按制造商回流焊工艺规范进行,遵循 IPC/JEDEC 标准回流曲线(峰值温度参考约 260°C)。贴装时注意焊盘设计与锡膏量,回流后如需机械加工应避免直接挤压器件。

六、替代与采购建议

若需替代,可选用同规格(22µF、6.3V、X5R、0805)且来自 Murata、TDK、Taiyo Yuden 等知名厂商的 MLCC。采购时确认批次、包装形式与可靠性测试报告,关键应用建议索取样品做实测验证。