SBC817-25LT3G 产品概述

一、产品简介

SBC817-25LT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款小信号NPN双极晶体管，采用常见的SOT-23-3（TO-236）封装。器件面向便携设备和空间受限的电路板设计，兼顾中等功率与高增益特点，适用于开关和小信号放大场合。

二、主要特性

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流 Ic：最大 500 mA
• 集-射击穿电压 Vceo：45 V
• 耗散功率 Pd：300 mW（封装限制）
• 直流电流增益 hFE：160（在 Ic=100 mA、Vce=1 V 条件下）
• 特征频率 fT：100 MHz，适合 VHF 及一般射频前端应用
• 集电极截止电流 Icbo：典型 100 nA（低漏电）
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：约 700 mV（导通损耗需考虑）
• 工作结温范围：-65℃ 至 +150℃（Tj）

三、电气与热性能要点

器件在 SOT-23 小封装内提供高达 500 mA 的集电极电流能力，但封装耗散功率仅 300 mW，实际使用中应严格注意封装的热阻与PCB散热能力。在高电流工作或高压降场合，应确保有足够的安全裕量，避免长期接近 Pd 上限导致结温上升影响可靠性。VCE(sat)≈700 mV 表明在饱和状态下仍有明显功耗，应在开关设计中评估开通损耗。

四、典型应用

• 便携式设备中的开关与电源管理（低功耗控制）
• 信号放大与驱动电路（小功率音频、传感器前端）
• 通用开关元件、低端功率级驱动
• VHF 频段的一般射频级或缓冲放大

五、封装与电路布局建议

SOT-23-3 封装利于紧凑设计，但需注意：在高 Ic 或频繁开关条件下，采用宽敞的铜箔散热路径、尽量短的走线并使用过孔下沉热量，可降低结温。若应用要求更高的耗散或更低的饱和压降，应考虑更大封装或功率型晶体管。

六、选型建议

当电路要求中等电流（≤500 mA）、较高增益且空间受限时，SBC817-25LT3G 是合适选择；若需更低 VCE(sat)、更高 Pd 或更高频率响应，请权衡替代型号或更大封装器件。购买时注意参考厂方完整数据手册以获取引脚配置、最大额定值和典型特性曲线，以确保在目标应用中的可靠性与性能。