型号:

NFM3DCC221R1H3L

品牌:muRata(村田)
封装:1205(3212 公制),3 PC 板
批次:26+
包装:编带
重量:-
其他:
NFM3DCC221R1H3L 产品实物图片
NFM3DCC221R1H3L 一小时发货
描述:CAP FEEDTHRU 220PF 50V 1205
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最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.755
4000+
0.699
产品参数
属性参数值
容值220pF
精度-20%~+50%
额定电压50V
额定电流300mA
工作温度-55℃~+125℃

NFM3DCC221R1H3L 产品概述

一、产品简介

NFM3DCC221R1H3L 是村田(muRata)系列的板级 Feedthrough 电容器,标称电容值为 220 pF,额定电压 50 V。器件采用 1205(3212 公制)表面贴装封装,三端结构设计,便于在 PCB 上实现信号/电源线的高频噪声抑制与接地旁路。典型应用于需要高频滤除与空间受限的板级 EMI 抑制场合。

主要参数一览:

  • 容值:220 pF
  • 精度:-20% ~ +50%
  • 额定电压:50 V
  • 额定电流:300 mA
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:1205(3212 公制),三端式 Feedthrough 结构
  • 品牌:muRata(村田)

二、电气特性与滤波行为

作为板级 Feedthrough 电容,本件器件在高频下呈现低阻抗通路,将噪声通过中间电极旁路至接地,从而在 PCB 上实现紧凑可靠的 EMI 抑制。220 pF 的容值适合在中高频段(例如数十 MHz 至数百 MHz)提供有效旁路和共模/差模噪声衰减。精度为 -20%/+50%,在设计时应考虑容值偏差带来的滤波频点变化与匹配空间。

额定电压 50 V,额定电流 300 mA,意味着器件适用于中低电压的电源或信号线滤波应用;长期工作时应避免超过额定电流与电压以保证可靠性。器件在 -55 ℃ 至 +125 ℃ 的温区内维持电气特性,适应较宽温度环境。

三、典型应用场景

  • 电源输入端与 DC-DC 转换模块的高频旁路与 EMI 抑制
  • 射频/通信模块、射频前端器件的滤波与隔离
  • 摄像模组、传感器接口与高速数字信号线的噪声抑制
  • 工业控制、消费电子与网络通讯设备的板级 EMI 管理
  • 需要在空间受限处进行滤波的便携设备与模组化 PCB

四、封装与安装建议

NFM3DCC221R1H3L 采用 1205 尺寸,适配一般 SMT 生产线与回流焊工艺。三端式结构在 PCB 布局上通常对应中心信号端与两侧接地端,建议:

  • 依据厂商推荐的 PCB 焊盘尺寸进行开料与阻焊布局;
  • 保持良好接地回路以发挥滤波效果,接地端应直接落地到接地平面或过孔;
  • 回流焊时遵循无铅或有铅工艺的温度曲线,避免过高峰值温度造成内部应力;
  • 装配后避免在器件上施加直接机械压力或刀具刮擦。

五、选型与使用注意事项

  • 精度偏差较大(-20%/+50%),在对滤波频点或配对容值敏感的电路中需要预留裕量或选用公差更窄的器件;
  • 虽标注额定电流 300 mA,实际使用中要关注交流分量与温升,避免过大电流导致局部发热;
  • 在强电磁干扰或更严苛环境下,考虑使用并联多个器件或与共模滤波器组合以提升抑制效果;
  • 储存与清洗时遵循厂商建议,避免腐蚀性溶剂或超声清洗代替标准工艺导致性能劣化。

六、可靠性与质量控制

本产品工作温度范围宽(-55 ℃ 至 +125 ℃),适合工业级环境使用。选择时建议参考村田官方 Datasheet 获取详细的温度系数、击穿电压、耐焊接性与寿命试验结果。对于关键应用,应按照 IPC/JEDEC 标准进行 PCB 级验证,并在样品阶段完成温循环、振动与 EMI 实测以确认电路整体性能。

结语:NFM3DCC221R1H3L 以其小型 1205 封装与板级 Feedthrough 结构,为受空间限制且要求可靠 EMI 抑制的设计提供了实用的解决方案。选型时注意容值公差与额定参数,合理布线与焊接工艺可确保最佳滤波效果与长期可靠性。