muRata LQW18AN8N2D10D 产品概述

一、概述与定位

LQW18AN8N2D10D 为村田（muRata）LQW 系列的片式绕线电感，封装为 0603（1608 公制），标称电感值 8.2 nH，额定直流电流 800 mA，直流电阻（DCR）约 58 mΩ，Q 值 38（测试频率 7 000 MHz）。该器件为非屏蔽结构，适用于高频到微波频段的阻抗匹配、滤波与去耦场景，兼顾低直流损耗与较高的高频阻抗特性，适合自动化贴装和回流焊工艺。

二、电气性能要点

• 电感值：8.2 nH，适合用于高频匹配、谐振或短路频段的频率补偿。
• 额定电流：800 mA。按直流工况计算，载流 0.8 A 时产生的直流损耗 P = I^2·DCR ≈ 0.8^2×0.058 ≈ 0.037 W（约 37 mW），直流压降约 46 mV（V = I·R）。
• 直流电阻（DCR）：约 58 mΩ，能有效降低直流和低频损耗，适用于需要较低压降的偏置通道。
• Q 值：38（在 7 000 MHz 测试），反映在该频率下器件的能量储存与损耗比。结合 X_L = 2πfL，可得在 7 GHz 时的感抗 X_L ≈ 360.6 Ω，因而该频率处等效串联电阻（ESR）约为 X_L / Q ≈ 9.5 Ω（说明在高频下损耗远高于直流电阻，这是射频损耗、介质与寄生效应共同作用的结果）。

三、封装与可靠性

• 封装尺寸：0603（1608 公制，通用尺寸为约 1.6 mm × 0.8 mm），适配常见 0603 引脚式焊盘和自动贴装流程。
• 安装：支持无铅回流焊（建议采用厂商推荐的回流曲线和工艺条件），适合自动化 SMT 生产线。
• 机械与环境稳定性：作为片式绕线结构，具备一般 SMD 器件的振动与温度循环可靠性，但由于为非屏蔽设计，需注意磁通耦合与附近元件的相互影响。

四、典型应用场景

• 射频前端匹配网络：用于天线或滤波器中的电感元件，尤其适合 2.4 GHz、5 GHz 以及更高频段的匹配场合（视具体电路需求与频率响应）。
• 高频滤波与陷波：作为串联或并联元件用于滤波、陷波器或谐振电路。
• 偏置与去耦：作为 DC 偏置通路的射频阻断元件（bias choke），在保持低直流压降的同时对高频信号呈现高阻抗。
• 无线通信模块（Wi‑Fi、蓝牙、蜂窝前端）、射频识别（RFID）及其他高频应用。

五、布局与使用建议

• 布局：器件应尽可能靠近需要阻抗处理的源或负载放置，走线短且直，避免多余走线引入寄生电感或电容。
• 接地：在需要与地面构成滤波回路时，应保证地平面连续且靠近器件回流路径，必要时使用小过孔减少回流路径电感。
• 防止耦合：由于为非屏蔽结构，周围敏感器件（如高灵敏度射频接收器、参考震荡器）应留出足够间距或采用屏蔽罩以避免磁耦合带来的干扰。
• 焊盘与回流：建议采用厂商推荐的焊盘尺寸与回流工艺，控制预热与峰值温度以保证焊接可靠性并避免机械应力导致失效。
• 仿真与验证：在射频带宽要求较高的场合，设计阶段应结合 S 参数和寄生模型进行电磁仿真并在样片上做矢量网络分析（VNA）验证。

六、优点与注意事项

• 优点：体积小、DCR 低、Q 值在微波频段较高，适合高频阻抗匹配与偏置去耦；封装 0603 便于密集贴片和自动化制程。
• 注意事项：非屏蔽结构会产生磁耦合；在高频下实际等效阻抗受寄生及介质损耗影响明显，设计时应以频域测试数据为准；在大电流或高温环境下需评估温升与长期可靠性。

总结：LQW18AN8N2D10D 是一款面向高频应用的 0603 片式绕线电感，结合低 DCR 与在数 GHz 频段表现出的较高 Q 值，适用于射频匹配、滤波及偏置去耦等场景。为获得最佳性能，建议在设计与量产前参考村田官方数据手册并进行电路级和实验级的频域测试验证。