型号:

MMBD1505A

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:23+
包装:未知
重量:-
其他:
-
MMBD1505A 产品实物图片
MMBD1505A 一小时发货
描述:开关二极管 MMBD1505A A15 SOT-23 200V,200mA,VF=1.5V@300mA,PD=350mW
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3000+
0.138
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1.3V@200mA
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流200mA
耗散功率(Pd)350mW
反向电流(Ir)10nA@180V
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2A

MMBD1505A 开关二极管(SOT-23,CJ 长电)

一、产品概述

MMBD1505A 是一款由 CJ(江苏长电/长晶)提供的高耐压小信号/开关二极管,采用 SOT-23 封装,面向要求高耐压与中等整流能力的便携与工业电子应用。器件在常温下可承受高达 200V 的反向电压,同时具备 200mA 的持续整流能力和较低的反向漏电,适合用作高压整流、钳位、保护及开关恢复用途。

主要参数摘要:

  • 正向压降 Vf:典型 1.3V @ 200mA(器件规格亦常见标注 1.5V @ 300mA)
  • 直流反向耐压 Vr:200V
  • 持续整流电流 If:200mA
  • 峰值非重复冲击电流 Ifsm:2A
  • 耗散功率 Pd:350mW(封装极限,需考虑 PCB 散热)
  • 反向电流 Ir:10nA @ 180V(低漏电,适合高压小电流场合)
  • 工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  • 封装:SOT-23(小巧、易于表面贴装)

二、主要性能与特点

  • 高耐压:200V 的反向耐压使 MMBD1505A 能在较高电压场合下工作,适合反激电源次级整流、过压钳位等。
  • 中等整流能力:200mA 的连续整流能力满足许多小功率开关与信号整流需求。
  • 低反向漏电:Ir 在 180V 条件下仅约 10nA,有利于被用于高阻抗节点或需低漏电的检测电路。
  • 良好浪涌容限:2A 的非重复峰值浪涌电流提供瞬态冲击保护能力,但需注意限制重复浪涌与热累积。
  • 小尺寸封装:SOT-23 适配贴片工艺,便于自动贴装与高密度 PCB 设计。

三、典型应用场景

  • 开关电源次级或辅助电源整流与钳位
  • 高压信号检测与电平移位电路
  • 过压保护、浪涌吸收与反向极性保护(小功率)
  • 通信设备与仪器中高压小电流路径的整流或钳位
  • 便携式和消费类电子中对体积与耐压有要求的场合

四、封装与热管理注意

  • 封装:SOT-23,适合常规回流焊工艺。封装体积小但热阻相对较高,需要依靠 PCB 铜箔和焊盘设计进行散热。
  • 功耗与散热:数据给出的 Pd 为 350mW,通常为在特定散热条件下的最大耗散能力。实际使用时应考虑环境温度与 PCB 散热面积进行功率去等级(derating),以避免结温超过最高工作温度(+150°C)。建议在高功耗或高环境温度下增大焊盘铜箔面积或采用散热通孔。
  • 浪涌与脉冲:若应用存在重复性高幅值浪涌,应评估平均功耗与热累积,必要时采用并联或选用更大功率器件以保证可靠性。

五、选型与设计建议

  • 正向压降与效率:正向压降在几十到几百毫安范围内对功率损耗影响明显。若电路对效率敏感(如电源整流),需根据实际工作电流选取 Vf 合适的器件;MMBD1505A 在 200mA 左右具有约 1.3V 的 Vf,为中等损耗水平。
  • 反向漏电与高压测量:低漏电特性使其适合高阻测量与检测电路;但是在高温下漏电会上升,应在极端环境下验证。
  • 极限参数与保护:避免长期在 Ifsm 或接近 Pd 极限下工作;设计中加入限流或限压措施可延长器件寿命。
  • 焊接与可靠性:遵循通用 SMD 回流焊曲线,避免超时超温;存储与组装过程中防静电处理(ESD)与防潮(MSL)管理同样重要。

六、结论

MMBD1505A(CJ)为一种性能平衡的高耐压小信号开关二极管,适合在需要 200V 等级耐压与中等整流能力的场合使用。其低漏电、良好浪涌容限和 SOT-23 小体积特性,使其在高压检测、开关电源辅路、保护电路与小功率整流等领域都具有实用价值。实际设计中应关注封装散热与正向压降带来的功耗影响,做好去等级与热设计以保证长期可靠。