型号:

BSD3C081L

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BSD3C081L 产品实物图片
BSD3C081L 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) BSD3C081L
库存数量
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(起订量: 5, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.263
3000+
0.233
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)8V
钳位电压18.5V
峰值脉冲电流(Ipp)17A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压8.5V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容1pF

BSD3C081L 产品概述

BSD3C081L 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款小封装双向瞬态抑制二极管(TVS),用于静电放电(ESD)和浪涌保护。器件封装为 SOD-323,体积小、响应快,适合用于空间受限的消费电子、通讯接口和工业控制端口的过压/静电防护。

一、主要参数与特性

  • 类型:双向 TVS(用于双向瞬态抑制,适合交流或差分数据线)
  • 反向截止电压 Vrwm:8 V
  • 击穿电压(典型):8.5 V
  • 钳位电压(典型):18.5 V(在测试条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:17 A @ 8/20 μs 波形
  • 峰值脉冲功率 Ppp:350 W @ 8/20 μs 波形
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(典型)
  • 结电容 Cj:1 pF(低电容,适合高速信号线)
  • 防护等级/标准:符合 IEC 61000-4-4(EFT)与 IEC 61000-4-2(ESD)
  • 封装:SOD-323(表面贴装)
  • 品牌:BORN(伯恩半导体)
  • 型号:BSD3C081L

二、功能与优势

  • 小尺寸:SOD-323 体积适合移动设备、传感器模块、小型接口板等,对 PCB 占用极小。
  • 双向保护:可在正负电压瞬态下工作,适合差分信号线、数据线或交流供电线的保护。
  • 低结电容(1 pF):对高速串行接口(如 USB、RS-485、LVDS 等)干扰小,信号完整性好。
  • 高瞬态能量承受能力:350 W(8/20 μs)和 17 A 峰值电流,能有效吸收典型的浪涌与静电脉冲。
  • 低漏电流:1 μA,适用于对静态电流敏感的系统(如电池供电设备)。

三、典型应用场景

  • USB、串口(RS-232/RS-485)、CAN 总线等数据接口防护
  • 以太网 PHY 前端、差分高速信号线的浪涌与静电防护
  • 电源输入口(小电流或信号电源)和连接器(耳机、SIM 卡槽等)防护
  • 工业控制、楼宇设备、智能家居终端的端口防护

四、设计与布局建议

  • 放置位置:TVS 应尽可能靠近被保护的连接器或芯片引脚,以减少走线感抗和提高抑制效果。
  • 走线要求:保护元件与信号线之间保持最短、最宽的铜线,避免通过多余的过孔和长走线。
  • 并联/串联策略:在高速数据线可单独使用低电容 TVS;在电源线可与串联电阻或共模磁珠配合,改善浪涌分流与滤波。
  • 热管理与焊接:遵循 SOD-323 的回流焊工艺,注意在高能脉冲情况下的热耗散路径,必要时在 PCB 增加散热铜箔。

五、选型与使用注意

  • 匹配工作电压:Vrwm = 8 V,适合 5 V 或接近 8 V 的工作环境;选择时确认系统最大工作电压低于 Vrwm。
  • 钳位能力:在选型时核对在预计浪涌电流下的钳位电压(器件给出典型 18.5 V),确保被保护器件可承受该电压峰值。
  • 脉冲功率与重复性:Ppp/ Ipp 基于 8/20 μs 单次脉冲测试,连续重复冲击时需参考厂商的能量退让曲线并做降额处理。
  • 环境与可靠性:器件满足 IEC 61000-4-2/4-4 标准,但实际系统保护效果还受布局、接地和外部阻抗影响,建议在样机阶段进行整机抗扰测试。

六、总结

BSD3C081L 以其双向抑制、低电容、高脉冲吸收能力和小型 SOD-323 封装,适合对空间和信号完整性有较高要求的端口保护应用。在使用时,合理布板、注意工作电压匹配与钳位电压要求,可为数据线和电源线提供可靠的 ESD 与浪涌防护。若需更详细的电气特性曲线、温度特性或回流焊工艺参数,建议参考 BORN 的器件数据手册或联系供应商获取完整资料。