型号:

2SC3356G-B-AE2-R

品牌:UTC(友顺)
封装:SOT-23-3
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2SC3356G-B-AE2-R 产品实物图片
2SC3356G-B-AE2-R 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 12V 100mA NPN SOT-23-3
库存数量
库存:
9
(起订量: 5, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.392
3000+
0.366
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)12V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)160@20mA,10V
特征频率(fT)7GHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
射基极击穿电压(Vebo)3V

2SC3356G-B-AE2-R 产品概述

一、产品简介

2SC3356G-B-AE2-R 是一款由 UTC(友顺)提供的 NPN 小信号晶体管,采用 SOT-23-3 低封装设计,针对空间受限、需要中等电流与较高增益的便携式与板载应用优化。器件在保持小体积的同时,兼顾了较高的直流电流增益与良好的高频性能,适合小信号放大与开关应用。

二、主要特性

  • 晶体管类型:NPN(双极型晶体管,BJT)
  • 最大集电极电流(Ic):100 mA
  • 集-射极击穿电压(Vceo):12 V
  • 最大耗散功率(Pd):200 mW(SOT-23 封装条件下)
  • 直流电流增益(hFE):约 160(在 Ic = 20 mA、Vce = 10 V 条件下)
  • 特征频率(fT):7 GHz(表征高频小信号放大能力)
  • 集电极截止电流(Icbo):约 1 μA(低泄漏)
  • 射极-基极击穿电压(Vebo):3 V(需注意基极-射极反向电压限制)
  • 封装:SOT-23-3,适合表面贴装工艺

三、电气参数与典型工作条件

该器件定位为中低电压、小功率的通用 NPN 晶体管。典型工作时应使 Vce 不超过 12 V,Ic 不超过 100 mA,并注意器件在 SOT-23 封装下的功耗限制(Pd = 200 mW),因此在持续大电流应用时需控制功耗或采用适当的 PCB 散热措施。20 mA 工作点时可获得较高 hFE(约 160),适合需要较大增益的小信号放大电路;fT = 7 GHz 表明器件在 VHF/UHF 频段的增益余量良好,适合高频前端或驱动级应用。

四、典型应用

  • 小信号放大器(前置放大、低噪声放大器的二级/三级增益级)
  • 高频驱动级与射频耦合(在频率允许范围内用于 VHF/UHF 应用)
  • 低压开关与电平转换(作为驱动/缓冲器件)
  • 通信、仪器仪表、便携设备的信号处理电路

五、封装与热管理

SOT-23-3 封装适合自动化贴片生产,节省 PCB 面积。但该封装的热阻较大,Pd = 200 mW 表明在较高集电极电流或较大 Vce 条件下易受热限制。建议通过下列方式改善热管理:合理加大焊盘面积、采用热铜过孔与散热岛、控制占空比与工作周期,必要时降低工作电流或做功耗分担设计。

六、设计与使用注意事项

  • 避免基极-射极反向电压超过 Vebo(3 V),以防损伤基极-发射结。
  • 当用于高频应用时,应合理布线,缩短寄生电感与电容路径,并做必要的阻抗匹配。
  • 在开关应用中,关注开关损耗与过渡态的功耗,确保平均耗散低于 200 mW。
  • 生产选型时建议参考完整器件规格书核实引脚定义与绝对最大额定值(不同供应商封装管脚排列可能略有差异)。

七、总结

2SC3356G-B-AE2-R 是一款面向小信号与中频应用的 NPN 晶体管,具有高直流增益、良好的高频性能与低漏电流特性,且以 SOT-23-3 封装实现小型化安装。适用于便携式电子、通信前端与普通放大/开关电路。设计时需特别注意封装的热限制与基极反向耐压,合理选择工作点与 PCB 散热布局以保证长期可靠性。若需用于关键或极限工况,请参照厂商完整数据手册并进行实际电路验证。