型号:

TLE2142AIDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TLE2142AIDR 产品实物图片
TLE2142AIDR 一小时发货
描述:运算放大器 45V/us 双路 700nA 5.9MHz SOIC-8
库存数量
库存:
99
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
12.09
2500+
11.8
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)44V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)5.9MHz
输入失调电压(Vos)750uV
输入失调电压温漂(Vos TC)1.7uV/℃
压摆率(SR)45V/us
输入偏置电流(Ib)700nA
输入失调电流(Ios)100nA
噪声密度(eN)10.5nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)85dB
静态电流(Iq)6.6mA
输出电流20mA
工作温度-40℃~+105℃
单电源4V~44V
双电源(Vee~Vcc)-22V~-2V;2V~22V

TLE2142AIDR 产品概述

一、概述

TLE2142AIDR 是德州仪器(TI)推出的一款高性能双路运算放大器,采用 8 引脚 SOIC 封装。器件支持宽电源电压范围(单电源 4V 至 44V,双电源 ±2V 至 ±22V),具备轨到轨输出能力,适合需要宽动态范围和高速响应的模拟信号处理场合。

二、主要特性

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度 (Vdd–Vss):44V
  • 轨到轨输出:支持,便于在低电压工作时获得宽输出摆幅
  • 增益带宽积 (GBP):5.9 MHz
  • 压摆率 (SR):45 V/μs,适合快速边沿和宽带模拟信号
  • 输入失调电压 (Vos):约 750 μV;温漂 (Vos TC):1.7 μV/℃,利于精密直流增益应用
  • 输入偏置电流 (Ib):700 nA;输入失调电流 (Ios):100 nA
  • 噪声密度 (eN):10.5 nV/√Hz @1 kHz,低噪声特性有利于高信噪比应用
  • 共模抑制比 (CMRR):85 dB
  • 静态电流 (Iq):约 6.6 mA(每对放大器)
  • 输出电流:最高约 20 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ 至 +105 ℃

三、典型应用场景

  • 传感器接口与信号调理(电压放大、滤波、差分放大)
  • 精密测量仪器和数据采集前端
  • 音频前置放大器与低噪声放大场合
  • 汽车电子与工业控制系统(高压电源兼容及宽温区工作)

四、设计与使用建议

  • 在需要高速响应(快速上升沿)时,可充分利用 45 V/μs 的压摆率避免失真;
  • 对于精密直流增益电路,注意输入失调与温漂影响,可通过偏置和校准减少误差;
  • 噪声敏感电路应合理布局与滤波,降低外部干扰对低噪声性能的影响;
  • 输出负载和功耗需按静态电流与最大输出电流评估,避免过热或挠度问题。

五、封装与型号信息

  • 品牌:TI(德州仪器)
  • 封装:8-SOIC
  • 型号示例:TLE2142AIDR(请以 TI 官方资料页为准,选型时核对完整器件编号与出货信息)

该器件在需要兼顾宽电源、轨到轨输出及较高速度的双路放大器设计中具有较好的性价比与通用性。选择时建议参考 TI 的完整数据手册以获取更详尽的电气特性曲线与典型应用电路。