型号:

VLS3012ET-100M

品牌:TDK
封装:SMD
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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VLS3012ET-100M 产品实物图片
VLS3012ET-100M 一小时发货
描述:功率电感 640mA 10uH ±20% 640mA SMD,3x3mm
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产品参数
属性参数值
电感值10uH
精度±20%
额定电流640mA
饱和电流(Isat)640mA
直流电阻(DCR)336mΩ

VLS3012ET-100M 产品概述

一、产品简介

VLS3012ET-100M 为 TDK 旗下的小型贴片功率电感,封装尺寸为 3 × 3 mm,额定电流与饱和电流均为 640 mA,标称电感值 10 µH,公差 ±20%。此器件定位为体积受限的直流电源滤波与能量储存元件,适合对体积、小电流损耗有要求的便携和工业类电子设备。

二、主要参数

  • 电感值:10 µH ±20%
  • 额定电流(Ir):640 mA
  • 饱和电流(Isat):640 mA
  • 直流电阻(DCR):336 mΩ
  • 封装形式:SMD,3 × 3 mm
  • 品牌:TDK

三、性能特点与典型应用

  • 体积小、适合集成:3×3 mm 的 SMD 封装利于高密度 PCB 布局。
  • 中等电流等级:640 mA 适合低功率 DC-DC 降压模块、小型充电与电源轨滤波。
  • 较高 DCR:336 mΩ 表明在工作电流下有一定的 I²R 损耗,需在热设计与效率预算中考虑。
    典型应用包括便携设备的电源滤波、EMI 抑制网路、低功率开关电源输入/输出滤波等。

四、设计与使用注意事项

  • 饱和与去磁:Isat = 640 mA,表明在接近额定电流时电感值会明显下降。建议设计电流留有裕量,通常连续工作电流取额定电流的 60%–80% 为宜,以防止饱和导致滤波性能退化。
  • 损耗计算示例:当电流为 640 mA 时,铜损约为 P = I²·DCR = 0.64² × 0.336 ≈ 0.14 W,需评估器件温升与周围器件耐热性。
  • PCB 布局:电感两端走短、宽的铜箔,保证良好散热。对高频噪声抑制电路,靠近噪声源放置并与地平面保持良好耦合。若为环形布局,注意避免与敏感模拟电路近距离平行布线。
  • 焊接与可靠性:按 TDK 推荐回流焊温度曲线进行组装,避免过热或长期高温储存。标准 SMD 贴装工艺适用,但建议在首批样板上进行温升和振动测试。

五、选型建议与替代考虑

  • 若系统对效率与发热高度敏感,应优先考虑 DCR 更低或额定电流更高的型号;若空间允许,可选取更大截面的元件以减小损耗。
  • 对于需保持较高电感在偏置电流下的应用,应查看完整数据手册中电感随直流偏置的曲线,选择在目标工作点仍能满足感量的型号。
  • 同系列或其他厂商的 3×3 mm、10 µH、≥640 mA 等级产品可作为替代,但需比对 DCR、Isat、热性能与封装公差。

六、总结

VLS3012ET-100M 适合在体积受限且工作电流在数百毫安范围的电源滤波与小功率 DC-DC 应用中使用。设计时需关注 DCR 带来的功耗与饱和特性,合理留余量并优化 PCB 散热,可获得稳定可靠的滤波与能量储存性能。欲获取完整特性曲线和回流焊工艺建议,请参考 TDK 官方数据手册。