型号:

CGA3E2NP01H101JT0Y0N

品牌:TDK
封装:0603
批次:26+
包装:编带
重量:0.035g
其他:
-
CGA3E2NP01H101JT0Y0N 产品实物图片
CGA3E2NP01H101JT0Y0N 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 50V ±5% 100pF NP0 0603
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最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.105
4000+
0.0835
产品参数
属性参数值
容值100pF
精度±5%
额定电压50V
温度系数NP0

TDK CGA3E2NP01H101JT0Y0N 多层陶瓷贴片电容(MLCC)产品概述

一、产品核心参数与基础属性

TDK型号CGA3E2NP01H101JT0Y0N属于Class 1型多层陶瓷贴片电容(MLCC),核心参数与封装信息如下:

  • 封装规格:0603(英制,对应公制尺寸1.6mm×0.8mm×0.8mm,典型值),体积紧凑适配高密度布局;
  • 标称容值:100pF(标识代码“101”,即10×10¹=100pF);
  • 容值精度:±5%,满足精密电路的容值一致性要求;
  • 额定电压:50V DC(直流额定电压,交流应用需注意峰值限制);
  • 温度系数:NP0(Class 1陶瓷介质,温度系数≤±30ppm/℃,容值随温度变化极小);
  • 介质特性:NP0低损耗、高Q值,适合高频信号传输;
  • 制造工艺:TDK成熟多层陶瓷叠层工艺,电极与介质匹配性优异。

二、关键性能优势

  1. 极致温度稳定性
    NP0介质是Class 1陶瓷的核心代表,容值随温度变化量仅为±30ppm/℃(远优于X7R等Class 2介质的±15%)。即使在-55℃~+125℃宽温范围内,容值漂移可忽略,完美适配对温度敏感的精密电路(如射频振荡器、高精度传感器)。

  2. 低损耗与高Q值
    1kHz下介质损耗角正切值(tanδ)≤0.0002,高频(如1GHz)下仍保持低损耗,Q值(品质因数)可达数百。信号传输中衰减极小,能显著提升射频电路的效率与信噪比。

  3. 中低压场景适配性
    50V额定电压覆盖了大多数中低压电路需求(如工业控制电源滤波、通信设备信号耦合),比16V/25V常规MLCC的电压裕量更充足,可靠性更高。

  4. 紧凑封装与高集成度
    0603封装体积小巧,可大幅节省PCB空间,适配便携式设备(如智能手表、TWS耳机)、小型化模块(如5G射频前端)的高密度布局。

三、典型应用领域

该型号因NP0的稳定特性与50V电压能力,广泛应用于以下场景:

  • 射频与微波电路:5G基站射频单元的匹配网络、LC滤波器,蓝牙/WiFi模块的信号调理,晶体振荡器(XO)的负载电容;
  • 精密模拟电路:传感器信号调理电路、高精度运放的反馈/耦合电容,确保信号无失真传输;
  • 工业控制设备:PLC输入输出接口滤波、电机驱动电路EMI抑制,适应工业环境的宽温与振动要求;
  • 消费电子:智能手机射频天线匹配、智能穿戴设备时钟电路,兼顾体积与性能;
  • 汽车电子(若符合AEC-Q200):仪表盘信号处理、车身控制模块滤波(需参考具体 datasheet确认车规资质)。

四、可靠性与品质保障

TDK作为全球领先厂商,该型号具备以下可靠性保障:

  • 工艺可靠性:高精度叠层工艺使电极与介质层厚度均匀,焊接无分层、开裂风险,符合IEC 60384-1国际标准;
  • 机械性能:抗振动(10~2000Hz,10g加速度)、抗冲击(1000g加速度)符合MIL-STD-202标准,可承受设备运输与使用中的机械应力;
  • 长期稳定性:额定条件下容值漂移率≤0.5%/1000小时,寿命达数万小时,满足设备长期可靠运行;
  • 焊接兼容性:支持回流焊(峰值260℃±5℃,时间≤10秒)、波峰焊(245℃±5℃,时间≤5秒),兼容常规SMT工艺。

五、使用与选型注意事项

  1. 电压降额:直流电路建议工作电压≤40V(额定电压80%),交流电路确保峰值电压≤50V,避免介质击穿;
  2. 静电防护:MLCC为Class 1静电敏感元件,操作需佩戴防静电手环、使用接地工作台;
  3. 机械应力控制:焊接后PCB弯曲半径≥20mm,避免挤压封装导致陶瓷碎裂;
  4. 存储条件:未开封产品存于-40℃~+85℃、湿度≤60%RH环境,开封后12个月内使用完毕,防止吸潮影响焊接。

六、总结

TDK CGA3E2NP01H101JT0Y0N是一款高频精密型MLCC,凭借NP0介质的温度稳定性、50V电压适配性与0603封装的紧凑性,成为射频、精密模拟、工业控制等领域的优选元件。TDK的工艺保障与可靠性,可满足不同场景下的长期稳定运行需求,是小型化、高性能电子设备的理想电容方案。