型号:

NLV32T-680J-EF

品牌:TDK
封装:1210
批次:26+
包装:编带
重量:0.15g
其他:
-
NLV32T-680J-EF 产品实物图片
NLV32T-680J-EF 一小时发货
描述:功率电感 9Ω 68uH ±5% 50mA 1210
库存数量
库存:
4000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.163
2000+
0.147
产品参数
属性参数值
电感值68uH
精度±5%
额定电流50mA
直流电阻(DCR)
类型磁胶屏蔽电感

TDK NLV32T-680J-EF 功率电感产品概述

一、产品定位与核心价值

TDK NLV32T-680J-EF是一款针对小体积、低电磁干扰(EMI)需求设计的磁胶屏蔽功率电感,属于TDK NLV32T系列(1210英制封装)。该产品聚焦便携电子、低功耗IoT设备等场景,通过磁胶屏蔽技术、高密度绕制工艺,实现“小封装+稳定电感性能+低EMI”的核心价值,满足现代电子设备对空间紧凑化、信号纯净度的严苛要求。

二、基础参数详解

该产品的关键参数符合工业标准,具体如下:

  • 电感特性:电感值68μH,精度±5%(EIA标准J档),工作温度范围-40℃~+85℃,电感值随温度变化率≤±10%;
  • 电气性能:额定连续工作电流50mA(此时电感值变化≤10%),饱和电流约70mA(峰值电流限制),直流电阻(DCR)9Ω(典型值);
  • 封装与尺寸:1210英制封装(对应公制3225),尺寸为3.2mm×2.5mm×1.6mm(长×宽×高),表面贴装(SMD)结构,兼容回流焊工艺;
  • 屏蔽类型:磁胶屏蔽,线圈周围填充TDK proprietary磁胶材料,有效抑制漏磁与电磁辐射。

三、核心设计特点

3.1 磁胶屏蔽技术

区别于传统金属屏蔽或无屏蔽电感,NLV32T-680J-EF采用磁胶填充结构:磁胶材料包裹线圈,既降低线圈漏磁(比普通屏蔽电感漏磁减少30%),又抑制电磁辐射,减少对周边敏感电路(如射频、模拟信号)的干扰,助力产品快速通过EMC认证。

3.2 小体积高密度

1210封装实现68μH电感值,依赖TDK优化的细线径高密度绕制工艺:线圈匝数精准控制,磁芯与线圈间隙极小,电感密度比同电感值的普通屏蔽电感提升约25%,完美适配智能手机、智能手表等“寸土寸金”的便携设备。

3.3 稳定可靠的电气性能

  • 电感精度±5%,批量生产一致性高,无需额外电路匹配;
  • DCR典型值9Ω,一致性误差≤±10%,降低电路功耗波动;
  • 耐高温设计:磁胶与漆包线可承受260℃/10s回流焊温度,长期工作可靠性符合IEC 61000标准。

四、典型应用场景

NLV32T-680J-EF适用于低功率、小体积的电子设备,核心场景包括:

  1. 便携电子终端:智能手机、智能手表、蓝牙耳机的PMIC(电源管理芯片)输出滤波、储能电感;
  2. 低功耗IoT设备:传感器节点、无线蓝牙模块的电源滤波,延长电池续航;
  3. 小型DC-DC转换器:1W以下低功率降压/升压电路的输出电感(如5V转3.3V/50mA场景);
  4. 射频前端电路:射频匹配网络、滤波电路的电感,减少漏磁对射频信号的干扰。

五、应用注意事项

  1. 电流限制:连续工作电流不超过50mA,峰值电流需控制在70mA以内(避免电感饱和,导致电感值骤降);
  2. 频率适配:最佳工作频率10kHz~1MHz,超出范围电感值会下降(如10MHz时电感值约为标称值的80%);
  3. 焊接工艺:采用回流焊,禁止手工焊接(易损坏磁胶),焊接峰值温度260℃,时间≤10s;
  4. 布局建议:靠近PMIC或DC-DC输出端,减少走线长度,进一步降低EMI。

六、总结

TDK NLV32T-680J-EF是一款高性价比的磁胶屏蔽功率电感,以小体积、低EMI、稳定性能为核心优势,精准匹配便携电子、低功耗IoT等场景的需求。其成熟的TDK工艺与可靠的电气性能,可有效降低电路设计难度,提升产品EMC compliance与长期可靠性。