CK45-E3AD103ZYGNA 产品概述

一、产品简介

CK45-E3AD103ZYGNA 为 TDK 生产的直插式瓷片电容（插件），额定电压 1 kV，标称电容量 10 nF，标称容值公差 -20% 至 +80%。封装为插件（直插），引脚间距（P）7.5 mm，电容体直径约 11.5 mm。此类高压瓷片电容以结构简单、耐压能力好、耐脉冲性能佳为特点，常用于需要高工作电压的电路场合。

二、主要特性

• 标称电容量：10 nF（0.01 μF）
• 容值公差：-20% ~ +80%（属于较宽容差，适合非精密定时/滤波用途）
• 额定电压：1000 V DC
• 封装形式：直插（插件），P = 7.5 mm
• 电容体直径：约 11.5 mm
• 品牌：TDK

三、典型应用场景

• 高压电源滤波与旁路：在高压整流、倍压电路中用于滤波、稳定电压。
• 高压耦合/去耦：用于信号耦合或抑制高压干扰脉冲。
• 脉冲电路与能量存储：适用于短时脉冲能量传递与吸收（需按温度/电压特性评估）。
• 工业电源、检测设备、HV 模块和高压接口电路。

四、设计与使用要点

• 容值与温度/偏压关系：此类瓷片电容通常使用二类电介质，容值随温度和直流偏压变化显著，实际工作时有效电容可能低于标称值；对精确滤波或时间常数电路应做实际测试或选用温度稳定型产品（如 X7R、C0G）。
• 电压余量：推荐在设计中留有安全余量，尽量不要长期在额定电压上饱和运行，避免加速失效或介质击穿。
• 机械安装：引脚间距 7.5 mm，开孔与焊盘设计应与之对应。插装时避免对瓷体施加横向应力或强烈振动，防止裂纹。
• 焊接与加工：遵循 TDK 的焊接和回流/波峰工艺建议，避免过高温度与长期高温暴露。敏感于热冲击，应使用合适的预热与冷却工艺。
• 环境与老化：部分陶瓷电容存在老化效应（随时间容值逐渐下降），以及湿度/污染物导致的表面泄漏或击穿风险。储存时避免潮湿与强污染环境。

五、选型与替代建议

• 若电容容差与温度稳定性为关键指标，应考虑温度系数更佳的陶瓷（如 X7R 或 C0G）或其它类型电容（薄膜、钽电解等），并确认工作电压下的实际容值。
• 对于要求高脉冲能量吸收或长期稳定性的应用，评估器件的最大脉冲电流、介质吸收和寿命参数，必要时参考 TDK 官方数据手册或咨询技术支持。

六、采购与资料获取

购买前建议索取并核对 TDK 官方数据手册，确认温度特性、容值随偏压变化曲线、耐脉冲能力、焊接规范及合规性（如 RoHS）。在 PCB 布局时根据引脚间距 7.5 mm 与电容体直径 11.5 mm 预留足够空间，以便装配和散热。

如需在特定工作环境（高温、高湿、高脉冲）长期可靠运行，建议先做样品验证测试，或联系供应商获取更详细的可靠性与应用建议。