型号:

IRFR1010ZTRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-252-3(DPAK)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
IRFR1010ZTRPBF 产品实物图片
IRFR1010ZTRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 140W 55V 42A 1个N沟道 DPAK
库存数量
库存:
2000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.34
2000+
2.24
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)91A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4V@100uA
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)2.84nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)470pF

IRFR1010ZTRPBF N沟道MOSFET产品概述

一、产品基本定位与身份

IRFR1010ZTRPBF是英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型功率MOSFET,核心定位为中等电压(≤55V)、大电流(≤91A)场景下的高效开关/导通器件。采用TO-252-3(DPAK)表面贴装封装,兼具紧凑尺寸与散热能力,适用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域,是替代传统双极型晶体管的高性价比选择。

二、关键电气参数深度解析

该器件的核心参数直接决定应用边界,以下为关键参数的实际意义:

2.1 电压与功率承载能力

  • 漏源击穿电压(Vdss):55V:关断状态下可承受的最大漏源电压,明确应用电压上限为55V以内,适配12V/24V/48V等低压系统(如汽车辅助电源、工业低压控制)。
  • 连续漏极电流(Id):91A:25℃环境下长期稳定输出的电流(需配合散热设计),是大电流应用的核心指标——可覆盖多数小型电动车、电动工具的电机驱动需求。
  • 最大耗散功率(Pd):140W:器件允许的最大功率损耗,需通过PCB散热(如漏极引脚连接大面积铜箔)或小型散热片实现,避免过热损坏。

2.2 导通与开关特性

  • 导通电阻(RDS(on)):5.8mΩ@10Vgs:栅源电压10V时的漏源导通电阻,数值极低(同类产品中属于优秀水平)。举例:91A导通时压降仅≈0.53V,导通损耗≈48W,远低于传统双极型晶体管(损耗通常翻倍)。
  • 栅极电荷量(Qg):63nC@10Vgs:栅极驱动所需总电荷,反映开关速度——该值适中,既避免高频开关损耗过大,又无需超大功率驱动电路(常见MCU输出即可满足)。
  • 电容特性:输入电容(Ciss=2.84nF)、反向传输电容(Crss=250pF)、输出电容(Coss=470pF)——Crss(米勒电容)需注意高频应用中的米勒效应,可通过驱动电路增加栅极电阻(10~100Ω)优化。

2.3 阈值与环境适应性

  • 阈值电压(Vgs(th)):4V@100uA:器件导通的最小栅源电压(漏极电流100uA时),避免低电压误触发,同时对驱动电压要求友好(常见5V/10V驱动电路即可)。
  • 工作温度范围:-55℃~+175℃:宽温设计,适应工业级(-40~+85℃)甚至极端环境(如航空航天、高温焊接设备),可靠性显著高于普通商用器件。

三、封装与物理特性

采用TO-252-3(DPAK)封装,具有以下实用特点:

  • 3引脚布局:漏极(D)、源极(S)、栅极(G)清晰区分,便于PCB焊接与布局;
  • 紧凑尺寸:标准DPAK封装体积小(约6.5×5.5mm),适合高密度PCB设计(如服务器电源模块);
  • 散热设计:漏极引脚与封装底座直接连接,可通过PCB铜箔(建议漏极区域铜箔面积≥10cm²,厚度≥1oz)或小型铝制散热片提升散热效率,满足140W耗散功率需求。

四、典型应用场景

结合参数特性,IRFR1010ZTRPBF适用于以下场景:

  1. 低压直流电机驱动:电动工具(如电钻、电锯)、小型电动车(如平衡车)、工业伺服电机的H桥驱动(12V/24V系统,91A电流覆盖多数小功率电机);
  2. 开关电源(SMPS):同步整流管或主开关管(55V以内电源,低导通电阻降低整流损耗,提升电源效率至90%以上);
  3. 负载开关:电池管理系统(BMS)的大电流通断(如电动车电池组主开关)、服务器电源的负载切换(避免浪涌电流);
  4. 工业控制电路:PLC输入输出模块(替代继电器,响应速度更快)、工业加热设备的温度控制(宽温适应车间温差);
  5. 汽车电子:部分非汽车级认证的低压辅助系统(如车载充电器、灯光控制,需确认实际应用的EMC/可靠性要求)。

五、应用设计注意事项

为确保器件稳定工作,需注意以下要点:

  • 栅极驱动:栅源电压(Vgs)需控制在推荐范围(通常≤20V),避免过压击穿;建议驱动电路增加栅极电阻(10~100Ω),抑制开关尖峰;
  • 散热设计:若长期工作在大电流(如≥50A),需在PCB漏极区域铺设大面积铜箔,或加装小型散热片(如5mm×5mm铝片);
  • 静电防护:MOSFET栅极易受静电损坏,生产、测试过程中需佩戴防静电手环,使用防静电工作台;
  • 开关频率:因Qg=63nC,建议开关频率≤100kHz(高频应用需评估开关损耗是否超出Pd限制)。

六、产品优势总结

IRFR1010ZTRPBF的核心优势可概括为:

  • 高效低耗:5.8mΩ导通电阻大幅降低导通损耗,提升系统效率;
  • 大电流承载:91A连续电流满足多数中等功率大电流需求;
  • 宽温可靠:-55~+175℃温度范围适应极端环境;
  • 易集成:DPAK封装紧凑,便于PCB布局与焊接;
  • 品牌可靠:英飞凌品质保障,参数一致性好,长期供应稳定。

该器件是低压大电流场景下的高性价比选择,可有效替代传统双极型晶体管,提升系统效率与可靠性。